パワーデバイス戦略
省エネ化と小型化を実現する次世代「エコデバイス」SiC
近年、地球レベルでの電力需要が年々増加しています。その一方で、化石燃料の枯渇、CO2の排出量増加に伴う地球の温暖化など、エネルギー問題や地球環境問題に対する懸念も大きく、電力の有効活用が急務として求められています。
そこで、低消費電力、高効率変換を追求したLSIをはじめとする高集積回路、受動部品、光半導体、それらを使用したモジュール製品などの「エコデバイス」が市場でも注目されており、その中でもSiCパワーデバイスは、次世代の「エコデバイス」として、業界の注目が集まっています。主に電力変換や電力制御に利用されるパワーデバイスにおいて、SiCは低オン抵抗なだけでなく、高速スイッチング、高温動作が実現できます。
様々な場所で活躍するSiCデバイス
SiCデバイスを使用することで、機器の小型化・低消費電力化が可能です。高耐圧、高耐熱性に優れた特性をもつことから、従来使用が不可能であった小さなスペースや過酷な環境下での実装が可能となりました。
たとえば自動車では、ハイブリッド車、電気自動車に応用することで、燃費の大幅な向上、室内スペースの拡大が実現できます。また、送電システムでは、電力損失率を50％程度改善可能で、地球環境問題への大きな貢献も期待できます。
いち早くスタートしたSiCの研究開発
環境重視となった現在、SiCデバイスは次世代の「エコデバイス」として注目が集まっていますが、電力変換器用のSiC製ダイオードが初めて市場に登場したのは2001年のことです。
ロームは2002年にSiC-MOSFETの基礎実験を開始し、業界をリードした開発成果を次々に生み出しています。
一歩進んだ研究開発で業界をリードするローム
いち早くSiCの研究をスタートさせたロームは、ユーザーや大学などと連携しながら技術を蓄積してきました。その結果、2010年に日本の半導体メーカーでは初めてSiCを使ったSBD（ショットキー・バリア・ダイオード）の量産を開始し、同年12月には世界で初めてSiCトランジスタ（DMOSFET）の量産も開始、一歩進んだ研究開発で業界をリードし続けています。
