採用情報 | 半導体のローム ROHM

ロームの歩み

1954	創業者が京都市上京区において個人企業として東洋電具製作所を創業。炭素皮膜固定抵抗器の開発・販売を開始。
1958	資本金 200万円で株式会社東洋電具製作所を設立。（設立年月日昭和33年 9 月17日）
1961	京都市右京区西院溝崎町21番地に本社を移転。
1969	半導体の開発・販売を開始。
1970	半導体部門拡充のため、本社敷地内に半導体製造ラインを設置。
1971	日系半導体メーカとして初めて米国・シリコンバレーに開発拠点を設置。 ROHM ELECTRONICS GMBH設立トランジスタの開発・販売開始
1973	発光ダイオード及びネットワーク抵抗器の開発、販売開始
1979	商標をR.ohm（アール・オーム）からROHM（ローム）に変更。
1981	商号を株式会社東洋電具製作所からローム株式会社に変更。
1982	半導体研究センター開設。
1983	大阪証券取引所市場第二部に上場。
1984	MBE法による半導体レーザの工業的な実用化に世界で初めて成功ローム甘木（株）設立
1985	4bit/8bitのオリジナルCPUを用いたマイクロコントローラの開発
1986	研究開発センター（現LSI開発センター）開設。大阪証券取引所市場第二部から第一部に指定替え。
1989	東京証券取引所市場第一部に上場。 PM賞（TPM）受賞。 LSI研究センター開設。液晶プロセス技術を確立、販売開始。
1990	アメリカテクノロジーセンター開設。（以後、国内外にテクノロジーセンターを開設）
1991	財団法人ロームミュージックファンデーション設立。
1992	特定フロン全廃。（ロームグループ）フラッシュメモリ搭載MTPマイコンを開発
1993	画期的な広視野角度を実現した公共表示用大型LCDを開発。
1994	ISO9001認証取得。
1997	DVD用赤色半導体レーザの量産体制を確立。
1998	環境マネジメントシステムISO14001認証取得。
2000	全く新しい概念のシステムLSIデザインテクノロジー「REAL SOKET®」を開発。ヨーロッパテクノロジーセンター開設業界最高レベルの高S/N、低ジッタを実現したDVD用クロックジェネレータICを開発
2001	「立命館大学ローム記念館」寄贈。
2003	「同志社大学ローム記念館」寄贈。
2004	300mmウエハプロセスラインによる本格量産開始。
2005	「京都大学ローム記念館」寄贈。
2006	耐性900V、オン抵抗3.1mΩ/cm²の世界最高性能、シリコンカーバイド（SiC）FETを開発。
2007	世界最小・最薄のチップLED「PICOLED®（ピコレッド）」を開発。
2008	創立50周年（9月17日）を迎え新ブランド「ROHM SEMICONDUCTOR」を導入。 LAPISセミコンダクタを子会社化。待機電力ゼロの不揮発ロジック技術を開発。照明用有機ELパネル事業会社を合弁で設立。バイオチップ分野に参入。血液検査チップを開発し、販売開始。
2009	つなぎ目がないシームレスタイプLEDベース照明を開発。（2009年グッドデザイン賞受賞） MEMS加速度センサの世界トップクラス開発メーカー Kionix, Inc.（カイオニクス）を子会社化。 SiC ウエハのサプライヤであるSiCrystal（サイクリスタル）社を子会社化。アーカンソー大学と共同開発を行った「高温駆動SiC モジュール」が2009年度米国R&D100Awards を受賞。不揮発ロジックカウンタIC「BU70013TL」が2009年度日刊工業新聞十大新商品賞を受賞。中国・精華大学「ローム電子工程館」着工。（2011年4月完成予定）
2010	業界で初めて、1608サイズで4V/100μFのタンタルコンデンサを開発。 0.9Vで駆動するMOSFET"ECOMOS™" を業界で初めて開発。世界で初めて出射ビームの方向を自在に制御可能な半導体レーザを開発。 SiC ショットキーバリアダイオードの量産を開始。京都テクノロジーセンター/京都ビジネスセンターをリニューアル。自社製LED照明の全館導入をはじめ、高効率空調設備や屋上緑化の導入などによりグリーンビル化を実現。米Intel®社次世代組込みプロセッサ向けチップセット及びリファレンスボードを完成。世界で初めてSiC MOSFET の量産を開始。
2011	ROHM　Semiconductor India Pvt. Ltd. 設立 ROHM　Semiconductor do Brasil Ltda. 設立清華大学(中国・北京)に「清華ローム電子工程館」を建設世界最小「03015サイズ」のチップ抵抗器を開発小型半導体素子を用いたテラヘルツ帯無線通信に世界で初めて成功世界で初めてオン抵抗1mΩ・cm²以下の超低損失SiCトレンチMOSFETを開発
2012	電気自動車やスマートグリッドの普及を睨み、世界に先駆けて「フルSiCパワーモジュール」の量産を開始。
2013	世界最小部品「RASMID」シリーズの量産開始。
2014	高電力・超低抵抗シャント抵抗器開発。
2015	デジタル電源販売開始。
2016	ロームシアター京都オープン。