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600V SJ-MOSFET:R60xxJNx系列

反向恢復時間極快且可提高設計靈活性的“PrestoMOS”

Keyword
  • PrestoMOS
  • R60xxJNx系列
  • 30種機型
  • 反向恢復時間(trr)極快
  • 不產生誤開啟(Self Turn-on)現象
  • 降低引發誤動作的雜訊
  • “降低穩定運行時的功耗”課題
  • 閘極電壓的升高量減少20%
  • MOSFET導通的閾值(Vth)提高約1.5倍
  • 軟恢復指數改善30%
  • 雜訊的最佳化更容易

ROHM獨有的超接合面MOSFET產品PrestoMOS,運用ROHM獨創的Lifetime控制技術優勢,實現了極快*的反向恢復時間(trr),非常有助於降低空調和變流器等應用穩定運行時的功耗,因而已經作為IGBT的替代品受到高度好評。*截至2019年3月15日 ROHM調查資料

此次,在傳統的產品系列基礎上,新增了新研發的“R60xxJNx系列”共30種機型。產品特點如下:

  • 反向恢復時間(trr)極快。與IGBT相比,輕載時的功率損耗降低約58%。
  • ・採用不產生誤開啟(Self Turn-on)現象的設計,降低損耗。
  • ・最佳化Body Diode的特性,改善軟恢復指數,降低引發誤動作的雜訊

這些特點不僅可降低應用的損耗,還使電路的最佳化更容易,設計的靈活性更高。

反向恢復時間(trr)極快,與IGBT相比,輕載時的功率損耗降低約58%

包括空調和冰箱在內,生活家電多使用變頻電路進行馬達驅動,傳統切換元件多使用IGBT。然而,作為近年來節能需求的一部分,降低穩定運行期間的功耗已經為重要課題。ROHM於2012年首次將PrestoMOSTM投入市場,這是以極快的反向恢復特性為特點的功率MOSFET,因其在解決“降低穩定運行期間的功耗”課題方面的優異表現,而獲得了高度好評。

採用“不產生誤開啟現象”設計,降低損耗

透過最佳化MOSFET結構上存在的寄生電容,將切換時的閘極電壓升高量降低了20%。另外,將MOSFET導通的閾值(Vth)提高約1.5倍,是不易產生誤開啟現象的設計。最佳化了閘極電阻值(損耗的原因之一),可降低損耗。

改善恢復特性,降低引起誤動作的雜訊

通常,SJ-MOSFET Body Diode的恢復特性為硬恢復。透過最佳化結構,與傳統產品相比,R60xxJNx系列的軟恢復指數改善了30%,不僅保持了極快的反向恢復時間(trr),還成功減少了雜訊干擾。這使得設計時的閘極電阻等帶來的雜訊更容易最佳化

R60xxJNx系列的產品系列如下:

Package
  TO-252
(DPAK)
[SC-63]
TO-263
(LPT(S) D2PAK)
[SC-83]
TO-220FM TO-247
Ron typ
(mΩ)
1100 R6004JND3 R6004JNJ R6004JNX  
720 R6006JND3 R6006JNJ ☆R6006JNX  
600 R6007JND3 R6007JNJ R6007JNX  
450 R6009JND3 R6009JNJ R6009JNX  
350   R6012JNJ ☆R6012JNX  
220   R6018JNJ R6018JNX  
180   R6020JNJ R6020JNX R6020JNZ4
140     R6025JNX R6025JNZ4
110     ☆R6030JNX R6030JNZ4
90       R6042JNZ4
64       ☆R6050JNZ4
45       ☆R6070JNZ4

☆為開發中

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