600V SJ-MOSFET : R60xxJNx系列：反向恢復時間極快且可提高設計靈活性的“PrestoMOS”

ROHM獨有的超接合面MOSFET產品PrestoMOS，運用ROHM獨創的Lifetime控制技術優勢，實現了極快*的反向恢復時間（trr），非常有助於降低空調和變流器等應用穩定運行時的功耗，因而已經作為IGBT的替代品受到高度好評。*截至2019年3月15日 ROHM調查資料

此次，在傳統的產品系列基礎上，新增了新研發的“R60xxJNx系列”共30種機型。產品特點如下：

• ・反向恢復時間（trr）極快。與IGBT相比，輕載時的功率損耗降低約58%。
• ・採用不產生誤開啟（Self Turn-on）現象的設計，降低損耗。
• ・最佳化Body Diode的特性，改善軟恢復指數，降低引發誤動作的雜訊。

這些特點不僅可降低應用的損耗，還使電路的最佳化更容易，設計的靈活性更高。

反向恢復時間（trr）極快，與IGBT相比，輕載時的功率損耗降低約58%

包括空調和冰箱在內，生活家電多使用變頻電路進行馬達驅動，傳統切換元件多使用IGBT。然而，作為近年來節能需求的一部分，降低穩定運行期間的功耗已經為重要課題。ROHM於2012年首次將PrestoMOSTM投入市場，這是以極快的反向恢復特性為特點的功率MOSFET，因其在解決“降低穩定運行期間的功耗”課題方面的優異表現，而獲得了高度好評。

採用“不產生誤開啟現象”設計，降低損耗

透過最佳化MOSFET結構上存在的寄生電容，將切換時的閘極電壓升高量降低了20%。另外，將MOSFET導通的閾值（Vth）提高約1.5倍，是不易產生誤開啟現象的設計。最佳化了閘極電阻值（損耗的原因之一），可降低損耗。

改善恢復特性，降低引起誤動作的雜訊

通常，SJ-MOSFET Body Diode的恢復特性為硬恢復。透過最佳化結構，與傳統產品相比，R60xxJNx系列的軟恢復指數改善了30％，不僅保持了極快的反向恢復時間（trr），還成功減少了雜訊干擾。這使得設計時的閘極電阻等帶來的雜訊更容易最佳化。

R60xxJNx系列的產品系列如下：

Package
		TO-252 (DPAK) [SC-63]	TO-263 (LPT(S) D2PAK) [SC-83]	TO-220FM	TO-247
Ron typ (mΩ)	1100	R6004JND3	R6004JNJ	R6004JNX
	720	R6006JND3	R6006JNJ	☆R6006JNX
	600	R6007JND3	R6007JNJ	R6007JNX
	450	R6009JND3	R6009JNJ	R6009JNX
	350		R6012JNJ	☆R6012JNX
	220		R6018JNJ	R6018JNX
	180		R6020JNJ	R6020JNX	R6020JNZ4
	140			R6025JNX	R6025JNZ4
	110			☆R6030JNX	R6030JNZ4
	90				R6042JNZ4
	64				☆R6050JNZ4
	45				☆R6070JNZ4

☆為開發中