滿足汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101的SiC MOSFET：車電用SiC MOSFET擴增10個型號，具業界最豐富的產品系列！

ROHM針對xEV車電充電器和DC-DC轉換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET，該系列產品“支援汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101”，而且共有13款型號，擁有業界最豐富的產品系列。

為了延長xEV的續航距離，要求車電充電器實現高輸出、高效率

近年來，xEV（電動車的總稱）汽車迅速普及。其中電動車（EV）的普及速度尤為迅速，然而續航距離短卻成為亟需解決的課題。為了延長續航距離，所配置電池的容量呈日益增加趨勢，與此同時，還要求縮短充電時間。為了滿足這種市場需求，比起11kW、22kW這樣的說法，市場更需要更高輸出、更高效率的車電充電器，故採用SiC MOSFET的應用案例越來越多。另外，以歐洲為中心，所配置電池的電壓也呈日益增高趨勢（800V），這就需要更高耐壓且更低損耗的功率元件。

基於這種市場需求，ROHM一直致力於擴充支援汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101的產品系列。此次新增的10款型號，是採用了ROHM第三代溝槽閘極構造的SiC MOSFET。第三代SiC MOSFET與第二代平面型SiC-MOSFET相比，導通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。這些新產品的加入，使包括SiC SBD（蕭特基二極體）在內可滿足AEC-Q101標準的離散式產品目前多達34款型號，實屬業界頂級陣容。下面是滿足AEC-Q101標準的SiC MOSFET所有產品的陣容。如欲瞭解單項產品的規格，請點擊該產品名稱的連結。

＜滿足AEC-Q101標準的車電用SiC MOSFET產品系列＞

通用規格：工作溫度範圍-55℃～+175℃、TO-247N封裝、支援AEC-Q101

產品世代 （閘極構造）	產品名稱	VDS (V)	導通電阻(typ.) (mΩ)	ID (A)	PD (W)
第3世代 （溝槽閘極構造）	SCT3017ALHR	650	17	118	427
	SCT3022ALHR		22	93	339
	SCT3030ALHR		30	70	262
	SCT3060ALHR		60	39	165
	SCT3080ALHR		80	30	134
	SCT3120ALHR		120	21	103
	SCT3022KLHR	1200	22	95	427
	SCT3030KLHR		30	72	339
	SCT3040KLHR		40	55	262
	SCT3080KLHR		80	31	165
	SCT3105KLHR		105	24	134
	SCT3160KLHR		160	17	103
第2世代 （平面閘極構造）	SCT2080KEHR	1200	80	40	262

領先業界的SiC功率元件的研發和生產體制

ROHM於2010年在全球率先成功實現了SiC MOSFET的量產，在SiC功率元件領域始終領先業界進行產品研發並建構相對應的量產體制。針對需求不斷擴大的車電市場，ROHM及時確立了支援AEC-Q101等的車電級品質和可靠性，並從2012年起開始供應車電充電器用的SiC SBD，從2017年起開始供應車電充電器和DC-DC轉換器用的SiC MOSFET。

另外，ROHM一直秉持“品質第一”的理念，採用從研發到製造全部在集團內進行的“垂直整合型”生產體制，針對在SiC功率元件，也建立了從晶圓到封裝全部在集團內部進行的一條龍生產體制，實現了高品質和高可靠性。

未來，ROHM將繼續致力於擴充車電用SiC功率元件的產品系列。