電源設計技術資訊網站

電源設計支援工具   English   简体中文   日本語   한국어

學到就是賺到的關鍵知識

BSM250D17P2E004:高可靠性1700V全SiC功率模組

在高溫高濕環境下
實現業界領先的可靠性

Keyword
  • BSM250D17P2E004
  • 1700V耐壓產品的需求增加
  • 採用全新晶片塗覆材料和製程
  • 絕緣崩潰
  • 高溫高濕偏壓測試
  • HV-H3TRB
  • 導通電阻降低10%

ROHM針對以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業裝置用電源的變流器和轉換器,研發出實現業界領先*可靠性、保證額定值1700V/250A的全SiC功率模組“BSM250D17P2E004”。
*截至2018年10月26日 ROHM調查

需求增加的1700V耐壓全SiC功率模組

近年來,由於SiC產品的節能效果優異,以1200V耐壓為主的SiC產品在汽車和工業裝置等領域的應用日益廣泛。系統呈高電壓化發展趨勢,1700V耐壓產品的需求日益旺盛。然而,1700V耐壓產品受可靠性等因素影響,遲遲難以推出SiC產品,目前主要使用IGBT。

此次研發的1700V模組採用新塗覆材料和新製程方法,成功地預防了絕緣崩潰,並抑制了漏電流的增加。另外,在高溫高濕偏壓測試中,呈現出極高可靠性,超過1,000小時也未發生絕緣崩潰現象,從而成功推出了額定值保證1700V/250A的全SiC功率模組。

在高溫高濕環境下確保業界領先的可靠性

1700V全SiC功率模組BSM250D17P2E004通過採用新塗覆材料作為晶片的保護對策,並引進新製程方法,使模組通過了高溫高濕偏壓測試HV-H3TRB:High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias)。

對BSM250D17P2E004和同等IGBT模組實施了HV-H3TRB高溫高濕偏壓測試,試驗條件為在85℃/85%的高溫高濕環境下,外加1360V。試驗結果是IGBT模組比較早期出現絕緣劣化或絕緣崩潰導致的漏電流增加現象,在1,000小時內發生了故障。而新研發的SiC功率模組即使超出1,000小時也未發生絕緣崩潰,表現出極高的可靠性。

導通電阻更低,有助於進一步降低裝置損耗

構成BSM250D17P2E004的SiC SBD(蕭特基二極體)和SiC MOSFET全部由ROHM生產。通過SiC SBD和SiC MOSFET的最佳組合配置,使導通電阻低於同等普通產品10%。這將非常有助於應用裝置節能化。

<SiC功率模組的產品系列>

型號 絶對最大額定電流(Ta=25℃) 電感
(nH)
封裝 熱阻器 內部電路圖
VDSS
(V)
VGS
(V)
ID
(A)
〔Tc
=60℃〕
Tj max
(℃)
Tstg
(℃)
Visol
(V)
〔AC
1min.〕
BSM080D12P2C008 1200 -6~22 80 175 -40~125 2500 25 C type
45.6x122x17mm
BSM120D12P2C005 120
BSM180D12P3C007 -4~22 180
BSM180D12P2E002 -6~22 180 13 E Type
62x152x17mm
BSM300D12P2E001 300
BSM400D12P3G002 -4~22 400 10 G Type
62x152x17mm
BSM600D12P3G001 600

BSM250D17P2E004
1700 -6~22 250     3400 13 E Type
62x152x17mm
   

※產品系列中包括斬波器類型產品。

Power SupplyIC Technical Materials Free Download