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業界最快trr“PrestoMOSTM”新產品系列中的“R60xxMNx系列”短路耐受能力更高， 且自啟動得到抑制

2018.11.08

ROHM在以業界最快的trr（反向恢復時間）著稱的PrestoMOSTM產品系列中又新增了“R60xxMNx系列產品。PrestMOS與標準的超接合面MOSFET相比，trr減少約60%，從而大大降低了開關損耗，促進了生活家電和工業裝置等馬達驅動器和變頻器應用的低功耗化發展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進一步降低啟動阻抗和Qg（閘極總電荷量）並降低損耗”為目標研發而成的。一般而言，啟動阻抗和Qg存在權衡關係，但利用ROHM獨有的製程技術和最佳化技術優勢，實現了兩者的高度平衡。

※PrestoMOS是ROHM的商標。

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短路耐受能力更高，確保可靠性

短路耐受能力是指MOSFET在短路時達到損壞程度需要的時間。一般而言，當發生短路時，會流過超出設計值的大電流，並異常發熱引起熱失控，最後可能導致損壞。要提高短路耐受能力，就涉及到與包括啟動阻抗在內的性能之間的權衡。R60xxMNx系列通過最佳化寄生雙載子電晶體（熱失控的原因），使同樣也是馬達驅動應用中一個非常重要的課題–短路耐受能力得以提升。不僅trr速度更快，而且與競爭產品相比短路耐受能力大大提高。

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抑制自啟動帶來的損耗

自啟動是指當關斷狀態的MOSFET的Vds急劇變化（從0V到外加電壓）時，MOSFET的寄生電容充電導致Vgs超出閾值，MOSFET短時間導通的現象。這種額外的導通時間當然就成為損耗。

其典型案例是在同步整流轉換器中在低側開關處於關斷狀態下高側開關導通的時間點發生這種自啟動。這就需要減緩高側開關的導通時間以抑制dV/dt，或在低側開關的閘極-源極間增加外接電容以提高餘量等外接電路對策。

而R60xxMNx系列則通過降低並最佳化寄生電容，從而將自啟動帶來的損耗控制在最低程度。

R60xxMNx系列

封裝 用途 產品名稱 極性
(ch)		 VDSS
(V)		 ID
(A)		 PD(W)
(Tc＝25°C)		 RDS(on)(Ω) Qg Typ.
(nC)		 trr
(Typ.)
(ns)		 驅動
電壓

(V)
VGS＝10V
Typ. Max VGS＝10V
TO-252 開關 R6010MND3 N 600 10 143 0.28 0.38 20 80 10
☆R6008MND3 600 8 115 0.45 0.61 13.5 65
R6007MND3 600 7 95 0.54 0.73 10 60
TO-220FM R6030MNX 600 30 90 0.11 0.15 45 90
☆R6020MNX 600 20 72 0.19 0.25 30 85
TO-3PF R6047MNZ 600 47 102 0.06 0.081 70 105
TO-247 R6076MNZ1 600 76 740 0.04 0.055 115 135
R6047MNZ1 600 47 440 0.06 0.081 70 105

☆：研發中

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