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產品系列持續擴充的“全SiC功率模組”

實現大電流化的技術要點

Keyword
  • 封裝的寄生電感
  • 突波
  • G型新封裝
  • 切換損耗
  • 優異的散熱性能
  • 底板(Base Plate)
  • 閘極驅動器評估板

ROHM針對工業裝置用電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器,研發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模組“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。

ROHM於2012年3月份成為全球首家開始量產內建功率半導體元件全部由碳化矽所組成的全SiC功率模組的公司。其後,產品系列不斷擴大,並擁有高達1200V、300A的產品,各產品在眾多領域中被廣泛地採用。隨著新封裝的研發,ROHM持續擴充產品線,如今已經擁有涵蓋IGBT模組市場主要額定電流範圍100A~600A的全SiC模組產品。利用這些模組,可大幅提升一般同等額定電流IGBT模組應用的效率,並可進一步實現小型化。

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封裝的內部電感值大幅降低

電流額定較大的功率模組中,封裝的寄生電感會導致切換時的突波電壓非常大。要實現全SiC功率模組的大電流化,從最大限度地發揮SiC功率元件的特點–高速切換性能的角度出發,也需要研發新型封裝,以降低這種寄生電感值,從而抑制突波電壓

此次研發的G型新封裝,藉由最佳化內建SiC元件的配置、佈線圖形及端子構造等,使封裝的內部電感值比傳統封裝降低了約23%,

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從而成功地使突波電壓比傳統封裝降低27%,實現了額定電流400A和600A的全SiC功率模組產品。不僅如此,在同等突波電壓條件下,利用新封裝還可以降低24%的切換損耗

封裝的散熱性能大幅提升

要實現600A的大電流產品,不僅需要降低內部電感值,還需要具備優異的散熱性能。新產品通過提升對模組散熱性能影響較大的底板(Base Plate)部位的平坦性,使底板與外接散熱器或冷卻機構間的熱阻降低了57%。

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全SiC功率模組的產品系列

產品名稱 絕對最大額定值 電感值
(nH)
封裝 熱感應
電阻
內部電路圖※
VDSS
(V)
VGS
(V)
ID(V)
[Tc=60°C]
Tj max
(°C)
Tstg
(°C)
Visol(V)
[AC 1min.]
BSM080D12P2C008 1200 -6
~22
80 175 -40
~125
2500 25 C type
45.6
×
122
×
17mm
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BSM120D12P2C005 120
BSM180D12P3C007 -4
~22
180
BSM180D12P2E002 -6
~22
180 13 E Type
62
×
152
×
17mm
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BSM300D12P2E001 300
BSM400D12P3G002 -4
~22
400 10 G Type
62
×
152
×
17mm
BSM600D12P3G001 600

※產品系列中還包括斬波型(Chopper Type)產品。

關於新產品的詳細資訊,請聯繫ROHM銷售部門或點擊這裡

ROHM還提供可輕鬆評估全SiC功率模組閘極驅動器評估板

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