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第三代SiC蕭特基二極體:SCS3系列

第三代採用新結構,抗突波電流性能更優異,VF特性進一步改善

Keyword
  • 第三代SCS3系列
  • 抗突波電流性能
  • IFSM
  • JBS(Junction Barrier Schottky)結構
  • 正向電壓
  • VF
  • 傳導損耗
  • 漏電流
  • IR
  • 漏電流降低至1/15

ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC蕭特基二極體(以下簡稱“SiC-SBD”)產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。當前正在量產的第二代SiC-SBD實現了正向電壓(VF=1.35V @25℃)。而第三代SCS3系列,VF特性得以進一步改善,而且抗突波電流性能IFSM也進一步提高。

通過採用JBS結構,實現高IFSM、低VF、低IR

作為SiC-SBD的第三代產品,SCS3系列為提高抗突波電流性能IFSM而採用了JBS(Junction Barrier Schottky)結構。另外,第二代實現的低VF特性得到進一步改善,損耗更低。由此提高了對裝置異常工作時等產生的突波電流的承受能力,使用時可比傳統更安心。

ROHM的第二代SiC-SBD實現了當時業界最小的正向電壓VF=1.35V @25℃、1.55V @150℃。此次研發的第三代在25℃時的VF與第二代相同,均為1.35V,但150℃時的VF則成功降低至1.44V。這使得高溫條件下的傳導損耗能夠進一步降低,從而提高效率。

一般情況下,當試圖降低正向電壓時,反向漏電流IR會增加。第三代SiC-SBD通過採用JBS結構成功攻克了該課題,降低正向電壓的同時成功地將漏電流抑制在最低。與第二代相比,在額定電壓650V、Tj=150℃時漏電流降低至約1/15

第三代SiC蕭特基二極體:SCS3系列

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