600V耐壓第二代超接合面MOSFET：KN系列 : 保持低導通電阻與開關速度，改善雜訊性能

2018.06.07

超接合面MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和閘極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超接合面MOSFET具有高速、低雜訊、高效率的特性，並已擴展為系列化產品，現已發展到第二代。非常有助於改善包括電源在內的PFC等各種功率轉換電路的效率。

低雜訊 EN系列

傳統的超接合面MOSFET具有導通電阻低、開關速度快的特點，但存在因其高速性而雜訊較大的課題。EN系列是結合了平面MOSFET的低雜訊特性與SJ MOS的低導通電阻特性的系列產品。下面是ROHM第一代標準特性的AN系列、其他公司同級產品及EN系列的雜訊特性比較圖。

EN系列因其保持了平面MOSFET的雜訊水平、且導通電阻更低，因而是改善平面MOSFET的傳導損耗的替代品。A・Ron的比較中，與平面MOSFET相比，傳統產品AN系列降低65%，EN系列則降低達80%。

該系列的產品系列如下。1款機型具有多種封裝。

■R60xxENx系列：低雜訊

型號	BV_DSS(V)	I_D (A)	R_DS(on) (Ω)	Qg (nC)	封裝
R6002ENx	600	1.7	2.8	6.5	CPT/TO252☆
R6004ENx		4	0.9	15	CPT/TO252☆/LPT/TO220FM
R6007ENx		7	0.57	20	TO252/LPT/TO220FM
R6009ENx		9	0.5	23	TO252/LPT/TO220FM
R6011ENx		11	0.34	32	TO252/LPT/TO220FM
R6015ENx		15	0.26	40	LPT/TO220FM/TO3PF
R6020ENx		20	0.17	60	LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6024ENx		24	0.15	70	LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6030ENx		30	0.115	85	LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6035ENx		35	0.095	110	TO3PF/TO247
R6047ENx		47	0.07	145	TO247
R6076ENx		76	0.04	260	TO247

※型號尾端的x為以下封裝代碼。 D : CPT3 (D-Pak), J : LPT (D2-Pak), X : TO220FM, Z : TO3PF, Z1 : TO247, D3 : TO252
※ ☆ : 研發中

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