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600V耐壓 第二代超接合面MOSFET

EN系列:
保持低導通電阻與開關速度,改善雜訊性能

Keyword
  • 超接合面MOSFET
  • 低雜訊特性
  • 低導通電阻特性
  • A・Ron

超接合面MOSFET是與平面MOSFET相比,導通電阻和閘極電荷(Qg)顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超接合面MOSFET具有高速、低雜訊、高效率的特性,並已擴展為系列化產品,現已發展到第二代。非常有助於改善包括電源在內的PFC等各種功率轉換電路的效率。

低雜訊 EN系列

傳統的超接合面MOSFET具有導通電阻低、開關速度快的特點,但存在因其高速性而雜訊較大的課題。EN系列是結合了平面MOSFET的低雜訊特性與SJ MOS的低導通電阻特性的系列產品。下面是ROHM第一代標準特性的AN系列、其他公司同級產品及EN系列的雜訊特性比較圖。

EN系列因其保持了平面MOSFET的雜訊水平、且導通電阻更低,因而是改善平面MOSFET的傳導損耗的替代品。A・Ron的比較中,與平面MOSFET相比,傳統產品AN系列降低65%,EN系列則降低達80%。

該系列的產品系列如下。1款機型具有多種封裝。

■R60xxENx系列:低雜訊

型號 BVDSS(V) ID (A) RDS(on) (Ω) Qg (nC) 封裝
R6002ENx 600 1.7 2.8 6.5 CPT/TO252☆
R6004ENx 4 0.9 15 CPT/TO252☆/LPT/TO220FM
R6007ENx 7 0.57 20 TO252/LPT/TO220FM
R6009ENx 9 0.5 23 TO252/LPT/TO220FM
R6011ENx 11 0.34 32 TO252/LPT/TO220FM
R6015ENx 15 0.26 40 LPT/TO220FM/TO3PF
R6020ENx 20 0.17 60 LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6024ENx 24 0.15 70 LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6030ENx 30 0.115 85 LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6035ENx 35 0.095 110 TO3PF/TO247
R6047ENx 47 0.07 145 TO247
R6076ENx 76 0.04 260 TO247

※型號尾端的x為以下封裝代碼。
   D : CPT3 (D-Pak), J : LPT (D2-Pak), X : TO220FM, Z : TO3PF, Z1 : TO247, D3 : TO252
※ ☆ : 研發中

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