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採用第3代SiC-MOSFET,新產品不斷加入,
產品陣容擴增中

Keyword
  • 全SiC功率模組
  • 第3代SiC-MOSFET
  • SiC-SBD
  • 開關損耗
  • 高效率
  • 小型化
  • 產品系列

ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模組量產。與傳統的Si-IGBT功率模組相比,“全SiC”功率模組可高速開關並可大幅降低損耗。最新的模組中採用第3代SiC-MOSFET,損耗更低。

採用第3代SiC-MOSFET,損耗更低

組成全SiC功率模組的SiC-MOSFET在不斷更新換代,現已推出新一代產品的定位–採用溝槽結構的第3代產品。與此同時,SiC模組也已研發出採用第3代SiC-MOSFET的版本。

BSM180D12P3C007”就是通過採用第3代SiC-MOSFET而促進實現更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron 10mΩ(typ)的、SiC-SBD內建型全SiC功率模組。下圖為與現有產品的關係示意圖。

3G

BSM180D12P3C007的開關損耗與IGBT模組相比大幅降低,比ROHM現有的IGBT模組產品也低42%。這非常有望進一步實現應用的高效化和小型化

3Geffi

全SiC功率模組的產品系列擴充

下表為全SiC功率模組的產品系列現狀。除BSM180D12P3C007外,採用第2代SiC-MOSFET的產品系列中也增添了新產品。今後,ROHM將會繼續擴充並完善產品系列

型號 絕對最大額定值(Tj=25°C) RDS
(ON)
(mΩ)
封裝 熱敏
電阻
等價電路圖
VDS
(V)
ID
(A)
(Tc=
60°C)
Tj
(°C)
Tstg
(°C)
Visol
(V)
(AC1min.)
NEW
BSM080D12P2C008
(2G. DMOS)
1200 80 -40 to
+175
-40 to
+125
2500 34 C
type
161115_img_01
BSM120D12P2C005
(2G. DMOS)
120 20
NEW
BSM180D12P3C007
(3G.UMOS)
180 10
NEW
BSM120C12P2C201
(2G.DMOS)
120 20 161115_img_02
NEW
BSM180D12P2E002
(2G.DMOS)
180 10 E
type
161115_img_03
BSM300D12P2E001
(2G. DMOS)
300 7.3

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