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採用第3代SiC-MOSFET,新產品不斷加入,
產品陣容擴增中
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2018/04/19
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ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模組量產。與傳統的Si-IGBT功率模組相比,“全SiC”功率模組可高速開關並可大幅降低損耗。最新的模組中採用第3代SiC-MOSFET,損耗更低。
採用第3代SiC-MOSFET,損耗更低
組成全SiC功率模組的SiC-MOSFET在不斷更新換代,現已推出新一代產品的定位–採用溝槽結構的第3代產品。與此同時,SiC模組也已研發出採用第3代SiC-MOSFET的版本。
“BSM180D12P3C007”就是通過採用第3代SiC-MOSFET而促進實現更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron 10mΩ(typ)的、SiC-SBD內建型全SiC功率模組。下圖為與現有產品的關係示意圖。
BSM180D12P3C007的開關損耗與IGBT模組相比大幅降低,比ROHM現有的IGBT模組產品也低42%。這非常有望進一步實現應用的高效化和小型化。

全SiC功率模組的產品系列擴充
下表為全SiC功率模組的產品系列現狀。除BSM180D12P3C007外,採用第2代SiC-MOSFET的產品系列中也增添了新產品。今後,ROHM將會繼續擴充並完善產品系列。
型號 | 絕對最大額定值(Tj=25°C) | RDS (ON) (mΩ) |
封裝 | 熱敏 電阻 |
等價電路圖 | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VDS (V) |
ID (A) (Tc= 60°C) |
Tj (°C) |
Tstg (°C) |
Visol (V) (AC1min.) |
|||||
NEW BSM080D12P2C008 (2G. DMOS) |
1200 | 80 | -40 to +175 |
-40 to +125 |
2500 | 34 | C type |
無 | ![]() |
BSM120D12P2C005 (2G. DMOS) |
120 | 20 | |||||||
NEW BSM180D12P3C007 (3G.UMOS) |
180 | 10 | |||||||
NEW BSM120C12P2C201 (2G.DMOS) |
120 | 20 | ![]() |
||||||
NEW BSM180D12P2E002 (2G.DMOS) |
180 | 10 | E type |
有 | ![]() |
||||
BSM300D12P2E001 (2G. DMOS) |
300 | 7.3 |
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