採用第3代SiC-MOSFET，新產品不斷加入，
產品陣容擴增中

ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模組量產。與傳統的Si-IGBT功率模組相比，“全SiC”功率模組可高速開關並可大幅降低損耗。最新的模組中採用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。

採用第3代SiC-MOSFET，損耗更低

組成全SiC功率模組的SiC-MOSFET在不斷更新換代，現已推出新一代產品的定位–採用溝槽結構的第3代產品。與此同時，SiC模組也已研發出採用第3代SiC-MOSFET的版本。

“BSM180D12P3C007”就是通過採用第3代SiC-MOSFET而促進實現更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron 10mΩ（typ）的、SiC-SBD內建型全SiC功率模組。下圖為與現有產品的關係示意圖。

BSM180D12P3C007的開關損耗與IGBT模組相比大幅降低，比ROHM現有的IGBT模組產品也低42%。這非常有望進一步實現應用的高效化和小型化。

全SiC功率模組的產品系列擴充

下表為全SiC功率模組的產品系列現狀。除BSM180D12P3C007外，採用第2代SiC-MOSFET的產品系列中也增添了新產品。今後，ROHM將會繼續擴充並完善產品系列。

型號	絕對最大額定值(Tj=25°C)					RDS (ON) (mΩ)	封裝	熱敏 電阻	等價電路圖
	VDS (V)	ID (A) (Tc= 60°C)	Tj (°C)	Tstg (°C)	Visol (V) (AC1min.)
NEW BSM080D12P2C008 (2G. DMOS)	1200	80	-40 to +175	-40 to +125	2500	34	C type	無
BSM120D12P2C005 (2G. DMOS)		120				20
NEW BSM180D12P3C007 (3G.UMOS)		180				10
NEW BSM120C12P2C201 (2G.DMOS)		120				20
NEW BSM180D12P2E002 (2G.DMOS)		180				10	E type	有
BSM300D12P2E001 (2G. DMOS)		300				7.3