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SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET

與SiC用AC/DC轉換器控制IC組合,效率顯著提高

Keyword
  • 閘極驅動器
  • 最佳化
  • 返馳式轉換器
  • 準諧振
  • 長期供應保證
  • SiC評估板

ROHM一直專注於功率元件的研發。最近推出並已投入量產的“SCT2H12NZ”,是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品系列中新增的更高耐壓版本。不僅具備1700V高耐壓,還是充分發揮SiC的特性使啟動阻抗大幅降低的MOSFET。此外,與SiC-MOSFET用的返馳式轉換器控制IC組合,還可大幅改善效率。ROHM不僅研發最尖端的功率元件,還促進充分發揮其性能的控制元件的研發。

最大限度地發揮SiC-MOSFET的性能,需要最佳化閘極驅動器

最大限度地發揮SiC-MOSFET的性能,需要最佳化SiC-MOSFET的驅動、即閘極驅動器。ROHM為了實現誰都可以輕鬆設計使用SiC-MOSFET的電源,不僅發力SiC-MOSFET的研發,還推進控制元件的研發。“BD7682FJ-LB”是以將SiC-MOSFET用於功率開關為前提研發的返馳式轉換器控制IC。

準諧振控制緩開關的低EMI工作,高載模式下的輕負載時低消耗電流工作,具備各種保護功能的最尖端功能組成,且搭載為SiC-MOSFET驅動而最佳化的閘極箝位元電路。另外,是工業設備用的產品,因此支援長期供應保證(-LB)。

<BD7682FJ-LB>

  • 準諧振方式(低EMI)
  • SiC-MOSFET驅動閘極箝位元電路
  • 工作電源電壓範圍(VCC):15.0V~27.5V
  • 輕負載時Burst脈衝工作、降頻功能
  • 工作電流:0.80mA(typ.)、
       Burst時 0.50mA(typ.)
  • 待機時低消耗電流:19µA
  • 最大振盪頻率:120kHz(typ.)
  • 工作溫度範圍:-40℃~105℃
  • SOP-J8 封裝
       (6.0×4.9mm、1.27mm 間距)
  • 保護VCC UVLO、VCC OVP、
       各週期的過電流保護、
       ZT觸發器遮罩功能、ZT OVP、欠壓保護
  • 針對工業設備長期供應保證

BD7682FJ-LB電路方塊圖及應用電路例
(點擊放大)

Si-MOSFET解決方案相比,效率改善6%

SCT2H12NZ與BD7682FJ-LB組成的AC/DC轉換器與採用Si-MOSFET的電路比較中,確認效率改善達6%(在ROHM製造的參考板上的比較)。同時還可減少發熱,因此電路也可小型化。下面是評估板與效率比較資料。

SCT2H12NZ與BD7682FJ-LB的評估板已作為“BD7682FJ-LB-EVK-402”在網上銷售,因此可立即進行使用最佳化SiC-MOSFET的返馳式轉換器的評估。ROHM除該返馳式轉換器評估板之外,還備有全SiC模組的閘極驅動器評估板等。與傳統的Si元件相比具有優異特性的SiC-MOSFET,工作電路也需要最佳化,全部從沒有參考的狀態進行評估是非常艱苦而細緻的工作。總之,希建議望嘗試運行SiC元件的各位、希望提高研發效率的各位使用我公司的評估板。請參考ROHM官網的“SiC支持页面”。

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