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SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET:實現工業設備的輔助電源應用要求的高耐壓與低損耗

2018.03.22

ROHM一直專注於功率元件的研發。最近推出並已投入量產的“SCT2H12NZ”,是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品系列中新增的更高耐壓版本。不僅具備1700V高耐壓,還是充分發揮SiC的特性使啟動阻抗大幅降低的MOSFET。此外,與SiC-MOSFET用的返馳式轉換器控制IC組合,還可大幅改善效率。ROHM不僅研發最尖端的功率元件,還促進充分發揮其性能的控制元件的研發。

工業設備輔助電源的課題是減少發熱

在變頻器等高電壓工業設備中,不僅具備驅動馬達等的主電源,還同時具備控制器和其他系統驅動用的輔助電源。尤其是在工業設備中使用時,輸入電壓高,輔助電源中廣泛使用耐壓1000V以上的Si-MOSFET。

然而,超過1000V的高耐壓Si-MOSFET的啟動阻抗大,必須處理導通損耗帶來的發熱問題。

SCT2H12NZ就是為解決這類工業設備輔助電源的課題而研發的。

啟動阻抗降低到Si-MOSFET的1/8

這是與工業設備輔助電源中廣泛使用的1500V耐壓Si-MOSFET的比較例。SiC-MOSFET的SCT2H12NZ的耐壓更高,達1700V,啟動阻抗僅為Si-MOSFET(9Ω)的1/8(1.15Ω)。由此,可大幅降低損耗、即可大幅減少發熱,有些條件下還可實現散熱器的小型化。

此外,封裝採用TO-3PFM,可確保工業設備要求的絕緣相應的爬電距離。同樣確保所需爬電距離的表面安裝型TO-268-2L封裝產品也正在研發中。通過採用表面安裝型封裝,可使用自動安裝設備進行組裝。

以下是此次研發的產品系列。

heatsink

1700V SiC-MOSFET產品系列

品名 封裝 極性 VDSS ID PD
(Tc=25℃)
RDS(ON)
VGS=18V
Qg
VGS=18V
SCT2H12NZ TO-3PFM Nch 1700V 3.7A 35W 1.15Ω
(Typ.)
14nC
(Typ.)
☆SCT2H12NY TO-268-2L 4A 44W
☆SCT2750NY 5.9A 57W 0.75Ω
(Typ.)
17nC
(Typ.)

☆:研發中

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