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產品資訊

從產品陣容樹狀圖和特色,輕鬆選出最適合的電源IC、Si和SiC的MOSFET、二極體等和相關產品。

線性調節器

線性調節器的産品陣容廣泛(產品多達900種),其中包括通用型3-pin輸出、低功率,、高電流和高電壓的產品。此類產品非常適合行動電話、汽車工業系統、 消費型電子器件、商業型產品和工業設備。

開關調節器

開關調節器的産品陣容廣泛 (DC/DC變換器),其中包括單一輸出和多重輸出的降壓/升壓/降壓-升壓系統電源供應器(內置功率場效電晶體)。各該産品可提升中央處理器、可編程閘道陣列(FPGAs)、可携式裝置、汽車工業設備、消費型産品和工業型産品的效率。

絕緣轉換器 (AC/DC,DC/DC)

整合功率場效電晶體類型和控制器類型且輕負載的情況下減少電力消耗的功能。可提供多重保護和減低干擾,使絕緣轉換器更爲小型也更具高效能。

功率元件

Si蕭特基二極體

同時擁有低VF、低IR、高ESD強度的功率型蕭特基二極體產品陣官。電池控制、電源、含EV/HV的車用裝置等,低損耗和高可靠性為其特色。

Si快速回復二極體

快速回復二極體能大幅度提升切換電源的效率、降低損耗。照明、空調、LCD-TV、產業模組等的PFC(功率因素校正)應用裝置,以及DCM(連續模式)和BCM(臨界導通模式)上能讓特性發揮至最佳狀態。

Si MOSFET

利用獨有的SJ(超接面)MOSFET,能高速切換且低導通電阻,目前已推出可以廣泛應用在各種裝置上的產品陣容。對應車用裝置的產品符合汽車的AEC-Q101。

【標準SJ MOSFET AN系列】


【低雜訊SJ MOSFET EN系列】


【高速SJ MOSFET KN系列】


【Presto MOS/高速trr SJ MOSFET FN系列】


【Presto MOS/高速trr 低Ron SJ MOSFET MN系列】

  • ■R60xxMNx系列(600V)

【Hybrid MOS GN系列】

SiC 蕭特基二極體

SiC是比Si半導體還要小、低耗電力化、高效率化的功率元件。降低切換損耗,且在高溫環境下運轉特性優良,可說是次世代的低損耗元件。SiC 蕭特基二極體能降低切換損耗、高速切換。在高速切換電源的PFC電路上擁有很好的成績。

SiC MOSFET

SiC是比Si半導體還要小、低耗電力化、高效率化的功率元件。降低切換損耗,且在高溫環境下運轉特性優良,可說是次世代的低損耗元件。SiC MOSFET切換時不會產生曳尾電流,所以可以高速運轉,降低切換的損耗。晶片尺寸小且低導通電阻,成功做到低容量、低閘極充電。

SiC 功率模組

SiC是比Si半導體還要小、低耗電力化、高效率化的功率元件。降低切換損耗,且在高溫環境下運轉特性優良,可說是次世代的低損耗元件。SiC功率模組相對於IGBT模組,能大幅度降低損耗。切換損耗少,特別有利於使用在高切換頻率的環境中。

 

SiC 蕭特基二極體 Bare Die

SiC 蕭特基二極體は、降低切換損耗、高速切換。在高速切換電源的PFC電路上擁有很好的成績。

 

SiC MOSFET Bare Die

SiC MOSFET切換時不會產生曳尾電流,所以可以高速運轉,降低切換的損耗。晶片尺寸小且低導通電阻,成功做到低容量、低閘極充電。

IGBT:Field Stop Trench IGBT

IGBT(絕緣閘雙極性電晶體)適用使用在各種高電壓・大電流且須達到高效率的應用裝置,以及要求節能的應用裝置上。使用獨有的溝槽式閘極、薄晶圓技術,能實現低VCE(sat)、低切換損耗。

IGBT:Ignition IGBT

IGBT(絕緣閘雙極性電晶體)適用使用在各種高電壓・大電流且須達到高效率的應用裝置,以及要求節能的應用裝置上。 同時具有低VCE(sat)、高突波耐受性,適合使用在車用點火系統上的高可靠性為其最大特色。

IGBT-IPM

IGBT-IPM(Intelligent Power Module)是將IGBT和最適合的驅動電路、保護功能組合在1個封裝內的模組。能提高機器效率、簡化設計。可以根據應用裝置切換的頻率選擇最適合的產品。

MOS-IPM

MOS-IPM(Intelligent Power Module)為使用獨有的PrestoMOS的高效率模組產品。相較於IGBT產品,能夠大幅度降低空調裝置長時間運轉的損耗。