Key Words : VF

上一章介紹了與IGBT的區別。本章將對SiC-MOSFET的本體二極體的順向特性與反向恢復特性進行說明。 如圖所示，MOSFET（不局限於SiC-MOSFET）在汲極-源極間存在本體二極體。從M...

Key Words :

Err

IGBT

irr

SiC-MOSFET

SiC-SBD

trr

Vd-Id特性

VF

二極體恢復損耗

內部二極體

寄生二極體

恢復電流

本體二極體

開關損耗

順向特性

截至目前為止，為了理解SiC-SBD，以Si二極體為比較對象說明了特性。其中，雖然談論到SiC-SBD本身也進化為第2代並提升了性能，但第3代也陸續問世，在這裡我想彙集有關SiC-SBD的進化，就目前...

Key Words :

IFSM

IR

SiC-SBD

SiC蕭基特二極體

VF

反向電流

湧浪電流(surge current)耐受量

漏電流(Leakage Current)

順向電圧

前次比較了SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。接下來要就二極體最基本的特性，進一步說明順向電壓VF特性的差異。 SiC-SBD和Si-PND的順向電壓特性差異 二極體的順向電壓VF雖然以無限接...

Key Words :

FRD

PN接面二極體

SiC-SBD

SiC蕭特基二極體

VF

順向電壓

高速整流二極體