電源設計技術資訊網站

電源設計支援工具   English   简体中文   日本語   한국어

Key Words : VF

SiC功率元件

2018.05.10

何謂SiC-MOSFET-本體二極體的特性

上一章介紹了與IGBT的區別。本章將對SiC-MOSFET的本體二極體的順向特性與反向恢復特性進行說明。 如圖所示,MOSFET(不局限於SiC-MOSFET)在汲極-源極間存在本體二極體。從M...

Key Words :
Err
IGBT
irr
SiC-MOSFET
SiC-SBD
trr
Vd-Id特性
VF
二極體恢復損耗
內部二極體
寄生二極體
恢復電流
本體二極體
開關損耗
順向特性

SiC功率元件

2017.07.06

所謂SiC-SBD-SiC-SBD的發展歷程

截至目前為止,為了理解SiC-SBD,以Si二極體為比較對象說明了特性。其中,雖然談論到SiC-SBD本身也進化為第2代並提升了性能,但第3代也陸續問世,在這裡我想彙集有關SiC-SBD的進化,就目前...

Key Words :
IFSM
IR
SiC-SBD
SiC蕭基特二極體
VF
反向電流
湧浪電流(surge current)耐受量
漏電流(Leakage Current)
順向電圧

SiC功率元件

2017.06.22

所謂SiC-SBD-與Si-PND的正向電壓比較

前次比較了SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。接下來要就二極體最基本的特性,進一步說明順向電壓VF特性的差異。 SiC-SBD和Si-PND的順向電壓特性差異 二極體的順向電壓VF雖然以無限接...

Key Words :
FRD
PN接面二極體
SiC-SBD
SiC蕭特基二極體
VF
順向電壓
高速整流二極體