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Key Words : Vd-Id特性

SiC功率元件

2018.06.07

何謂SiC-MOSFET-溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品

本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供應的SiC-MOSFET的相對資訊。 獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET 在SiC-MOSFET不斷發展的進程中,ROHM於世界首家實現了溝槽閘極...

Key Words :
Err
IGBT
irr
MOSFET輸入電容
SiC-MOSFET
SiC-SBD
trr
Vd-Id特性
二極體恢復損耗
內部二極體
寄生二極體
恢復電流
本體二極體
溝槽結構SiC-MOSFET
開關損耗
雙溝槽結構

SiC功率元件

2018.05.10

何謂SiC-MOSFET-本體二極體的特性

上一章介紹了與IGBT的區別。本章將對SiC-MOSFET的本體二極體的順向特性與反向恢復特性進行說明。 如圖所示,MOSFET(不局限於SiC-MOSFET)在汲極-源極間存在本體二極體。從M...

Key Words :
Err
IGBT
irr
SiC-MOSFET
SiC-SBD
trr
Vd-Id特性
VF
二極體恢復損耗
內部二極體
寄生二極體
恢復電流
本體二極體
開關損耗
順向特性

SiC功率元件

2018.04.19

與IGBT的區別

上一章針對與Si-MOSFET的區別,介紹了關於SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。 與IGBT的區別:Vd-Id特性 Vd-Id特性是電晶體最基本的特性之...

Key Words :
IGBT
Rg
Ron
SiC-MOSFET
SiC-SBD
Vd-Id特性
VDS
二極體恢復損耗
導通電阻
尾電流
恢復電流
開關損耗
閘極電阻