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Key Words : SiC

SiC功率元件

2019.11.06

主要零件選型:用來設定過負載保護點切換的電阻

本文中將對本設計中使用的電源IC固有的功能、過負載保護校正功能的設定相關的電阻值進行計算。 主要零件選型:用來設定過負載保護點切換的電阻R20 首先,來確認過負載保護點切換設定電阻R20在電路上的...

Key Words :
AC/DC轉換器設計
BD7682FJ
SCT2H12NY
SiC
SiC-MOSFET
準諧振轉換器設計
碳化矽
過負載保護點
隔離型AC/DC轉換器設計

SiC功率元件

2019.11.06

主要零件選型:輸入電容和平衡電阻

繼上一篇文章MOSFET的選型之後,本文將確定輸入電容和平衡電阻的常數。 主要零件選型:輸入電容C2、C3、C4 右側的電路圖是從整個電路圖中摘錄的輸入部分的電路。輸入端的輸入電容需要C2、C3、...

Key Words :
AC/DC轉換器設計
SCT2H12NY
SiC
SiC-MOSFET
平衡電阻
準諧振轉換器設計
碳化矽
輸入電容
隔離型AC/DC轉換器設計

SiC功率元件

2019.10.09

主要零件的選型:MOSFET Q1

變壓器設計篇已經結束,接下來將圍繞電源ICBD7682FJ-LB的週邊元件進入零件選型部分。本文將摘錄並使用所要介紹的零件的週邊電路,需要確認整體電路時請點擊這裡。 主要零件的選型:MOSFET Q1...

Key Words :
AC/DC轉換器設計
SCT2H12NY
SiC
SiC-MOSFET
準諧振轉換器設計
碳化矽
隔離型AC/DC轉換器設計

SiC功率元件

2019.09.11

變壓器T1的設計 其2

在前面的“變壓器T1的設計 其1”中,對下述計算步驟①~③進行了說明。本文作為“其2”來計算剩下的④~⑥,並結束變壓器T1的設計篇。 ①返馳式電壓VOR的設定 ②一次側線圈電感值Lp、一次側的最...

Key Words :
AC/DC變壓器
AC/DC轉換器設計
SiC
SiC-MOSFET
準諧振轉換器設計
碳化矽
變壓器設計
返馳式
返馳式變壓器
隔離型AC/DC轉換器設計

SiC功率元件

2019.07.10

變壓器T1的設計 其1

從本文開始進入具體的設計,比如計算相關電路常數等。首先是變壓器T1的設計。計算步驟如下。這與“隔離型返馳式轉換器電路設計:變壓器設計(數值計算)”中的思路基本相同,可以參考這篇文章中的內容。 ①...

Key Words :
AC/DC變壓器
AC/DC轉換器設計
SiC
SiC-MOSFET
準諧振轉換器設計
碳化矽
變壓器設計
返馳式
返馳式變壓器
隔離型AC/DC轉換器設計

SiC功率元件

2019.06.20

設計中使用的電源IC:專為SiC-MOSFET最佳化

本文將從設計角度首先對在設計中使用的電源IC進行介紹。如“前言”中所述,本文中會涉及“準諧振轉換器”的設計和功率電晶體使用“SiC-MOSFET”這兩個新課題。因此,設計中所使用的電源IC,是可將Si...

Key Words :
AC/DC轉換器設計
Rg
SiC
SiC-MOSFET
SiC導通電阻
VGS
正激式
準諧振轉換器設計
碳化矽
返馳式
閘極驅動
隔離型AC/DC轉換器設計

SiC功率元件

2019.06.20

設計案例電路

上一篇文章對設計中使用的電源IC進行了介紹。本文將介紹設計案例的電路。 準諧振方式 上一篇文章提到,電源IC使用的是SiC-MOSFET驅動用AC/DC轉換器控制IC“BD7682FJ-LB”。轉換電...

Key Words :
AC/DC轉換器設計
RCC
SiC
SiC-MOSFET
準諧振轉換器設計
碳化矽
自激式
返馳式
隔離型AC/DC轉換器設計

SiC功率元件

2017.12.21

SiC-SBD的產品產品一覽支援車電的650V/1200V、5A~40A

ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC(碳化矽)材料的SBD(蕭特基二極體)。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產,目前正在拓展第二代SiC-SBD,並推動在包括車電在內的...

Key Words :
1200V
1700V
650V
AEC-Q101
SiC
SiC-SBD
碳化矽
蕭特基二極體
車電

SiC功率元件

2017.11.09

SiC-MOSFET的特長

繼前篇結束的SiC-SBD之後,本篇進入SiC-MOSFET相對的內容介紹。功率轉換電路中的電晶體的作用非常重要,為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化,一直在進行各種改良。SiC功率元件半導體的優勢前面...

Key Words :
BV
BVDS
Eoff
Eon
Err
IGBT
RonA
SiC
SiC-MOSFET
SiC-SBD
單位面積的導通電阻
恢復損耗
標準化導通電阻
開關頻率
關斷時的損耗
高頻化

SiC功率元件

2017.04.27

所謂SiC-SBD-特徵以及與Si二極體的比較

繼SiC功率元件概要之後,接著說明具體元件。首先,從SiC蕭特基二極體開始。 SiC蕭特基二極體與Si蕭特基二極體 從SiC蕭特基二極體(以下簡稱SBD)的構造開始説明。如下圖所示,讓金屬與...

Key Words :
FRD
PND
PN接面二極體
SiC
SiC-SBD
SiC蕭基特二極體
高速整流二極體