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Key Words : 超接合面MOSFET

2018.10.25

臨界模式PFC : 利用二極體提高效率的例子

在實際的應用電路中,二極體和電晶體因其特性和性能不同而需要區分使用。在電源類應用中區分使用的主要目的是提高效率。本文將介紹PFC(功率因數校正)的一個例子,即利用二極體的特性差異來改善臨界模式(BCM...

Key Words :
BCM
CCM
FRD
IGBT
MOSFET
PFC
PFC效率
PFC類比
SiC-MOSFET
SiC-SBD
SJ-MOSFET
主動式PFC
交錯式PFC
功率因數校正
功率因數校正/Power Factor Correction
單級PFC
快速恢復二極體
臨界模式
蕭特基二極體
超接合面MOSFET
連續模式

2018.08.23

總結

在本章中介紹了判斷所選的電晶體在實際工作中是否適用的方法和步驟。本文將進行最後的匯總。 前面按照右側流程圖及下列各項確認了所選電晶體在實工作條件下是否適用,以及是否是在確保充分的可靠性和安全的條件...

Key Words :
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tc
Tj
θca
θja
θjc
功耗
外殼溫度
安全工作區
封裝溫度
散熱器
散熱片
晶片溫度
熱計算
熱阻
結溫
超接合面MOSFET
降額

2018.06.21

確認在實際使用溫度降額後的SOA範圍內

在本章中將介紹判斷所選的電晶體在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側流程圖的④確認在使用環境溫度下降額的SOA範圍內。 ①測量實際的電流/電壓波形 ]...

Key Words :
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tj
安全工作區
接合面溫度
晶片溫度
超接合面MOSFET
降額

2018.06.21

確認平均功耗在額定功率範圍內

在本章中介紹判斷所選的電晶體在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將介紹右側流程圖的“⑥確認平均功耗在額定功率範圍內”。由於這一系列是以開關工作為前提介紹的,因此在第⑤步...

Key Words :
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tj
安全工作區
平均功耗
晶片溫度
結溫
超接合面MOSFET
連續脈衝
開關工作
降額

2018.05.10

確認在絕對最大額定值範圍內

在本章中將介紹判斷所選的電晶體在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇介紹右側流程圖的②確認在絕對最大額定值範圍內。 ①測量實際的電流/電壓波形 ②確認在絕對最大額...

Key Words :
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Tj
安全工作區
接合部溫度
晶片溫度
絕對最大額定值
超接合面MOSFET
降額

2018.05.10

確認在SOA(安全工作區)範圍內

在本章中將介紹判斷所選的電晶體在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側流程圖的③確認在SOA(安全工作區)範圍內。 ①測量實際的電流/電壓波形 ②確認在絕對最...

Key Words :
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
SOA損壞
Tj
安全工作區
接合部溫度
晶片溫度
絕對最大額定值
超接合面MOSFET
降額

2018.04.05

實際工作中的適用性確認和準備

從本章開始進入新篇章–“實際工作中的適用性確認”。在電路設計中,通常會基於電路要求,參考技術規格書的規格來選擇適合的電晶體。然而,實際試製後,非常有可能發生從電路圖...

Key Words :
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Tj
安全工作區
接合部溫度
晶片溫度
絕對最大額定值
超接合面MOSFET
降額

2018.01.28

所謂MOSFET-高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™

上一章基於ROHM的SJ-MOSFET產品產品一覽,以標準AN系列、低雜訊EN系列、高速KN系列為例介紹了SJ-MOSFET的特長。本章將以SJ-MOSFET的trr速度更高的PrestoMOS&tr...

Key Words :
A・Ron
FN系列
IGBT
MN系列
MOSFET
Ron・Qg
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
trr
回生電流
換流損耗
超接合面MOSFET
高效變流器

2017.11.09

超接合面MOSFET

從本篇開始,介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超接合面MOSFET。 功率電晶體的特長與定位 首先來看近年來的主要功率電晶體Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻...

Key Words :
IGBT
irr
MOSFET
SiC-MOSFET
trr
導通電阻
平面MOSFET
耐壓
超接合面MOSFET
超接合面MOSFET結構

2017.10.26

ROHM獨有的超接合面MOSFET是關鍵

-您已經介紹過BM2Pxxx系列對高效率、低功耗、低待機功耗、小型這4個課題的貢獻,多次提到“因為內建超接合面MOSFET…”。接下來請您介紹一下超接合面MOSFET(以下簡稱 SJ MO...

Key Words :
元件尺寸
導通電阻
小型化
效率
超接合面MOSFET
開關頻率
閘極電荷量