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Key Words : 碳化矽

SiC功率元件

2019.11.06

主要零件選型:用來設定過負載保護點切換的電阻

本文中將對本設計中使用的電源IC固有的功能、過負載保護校正功能的設定相關的電阻值進行計算。 主要零件選型:用來設定過負載保護點切換的電阻R20 首先,來確認過負載保護點切換設定電阻R20在電路上的...

Key Words :
AC/DC轉換器設計
BD7682FJ
SCT2H12NY
SiC
SiC-MOSFET
準諧振轉換器設計
碳化矽
過負載保護點
隔離型AC/DC轉換器設計

SiC功率元件

2019.11.06

主要零件選型:輸入電容和平衡電阻

繼上一篇文章MOSFET的選型之後,本文將確定輸入電容和平衡電阻的常數。 主要零件選型:輸入電容C2、C3、C4 右側的電路圖是從整個電路圖中摘錄的輸入部分的電路。輸入端的輸入電容需要C2、C3、...

Key Words :
AC/DC轉換器設計
SCT2H12NY
SiC
SiC-MOSFET
平衡電阻
準諧振轉換器設計
碳化矽
輸入電容
隔離型AC/DC轉換器設計

SiC功率元件

2019.10.09

主要零件的選型:MOSFET Q1

變壓器設計篇已經結束,接下來將圍繞電源ICBD7682FJ-LB的週邊元件進入零件選型部分。本文將摘錄並使用所要介紹的零件的週邊電路,需要確認整體電路時請點擊這裡。 主要零件的選型:MOSFET Q1...

Key Words :
AC/DC轉換器設計
SCT2H12NY
SiC
SiC-MOSFET
準諧振轉換器設計
碳化矽
隔離型AC/DC轉換器設計

SiC功率元件

2019.09.11

變壓器T1的設計 其2

在前面的“變壓器T1的設計 其1”中,對下述計算步驟①~③進行了說明。本文作為“其2”來計算剩下的④~⑥,並結束變壓器T1的設計篇。 ①返馳式電壓VOR的設定 ②一次側線圈電感值Lp、一次側的最...

Key Words :
AC/DC變壓器
AC/DC轉換器設計
SiC
SiC-MOSFET
準諧振轉換器設計
碳化矽
變壓器設計
返馳式
返馳式變壓器
隔離型AC/DC轉換器設計

SiC功率元件

2019.07.10

變壓器T1的設計 其1

從本文開始進入具體的設計,比如計算相關電路常數等。首先是變壓器T1的設計。計算步驟如下。這與“隔離型返馳式轉換器電路設計:變壓器設計(數值計算)”中的思路基本相同,可以參考這篇文章中的內容。 ①...

Key Words :
AC/DC變壓器
AC/DC轉換器設計
SiC
SiC-MOSFET
準諧振轉換器設計
碳化矽
變壓器設計
返馳式
返馳式變壓器
隔離型AC/DC轉換器設計

SiC功率元件

2019.06.20

設計中使用的電源IC:專為SiC-MOSFET最佳化

本文將從設計角度首先對在設計中使用的電源IC進行介紹。如“前言”中所述,本文中會涉及“準諧振轉換器”的設計和功率電晶體使用“SiC-MOSFET”這兩個新課題。因此,設計中所使用的電源IC,是可將Si...

Key Words :
AC/DC轉換器設計
Rg
SiC
SiC-MOSFET
SiC導通電阻
VGS
正激式
準諧振轉換器設計
碳化矽
返馳式
閘極驅動
隔離型AC/DC轉換器設計

SiC功率元件

2019.06.20

設計案例電路

上一篇文章對設計中使用的電源IC進行了介紹。本文將介紹設計案例的電路。 準諧振方式 上一篇文章提到,電源IC使用的是SiC-MOSFET驅動用AC/DC轉換器控制IC“BD7682FJ-LB”。轉換電...

Key Words :
AC/DC轉換器設計
RCC
SiC
SiC-MOSFET
準諧振轉換器設計
碳化矽
自激式
返馳式
隔離型AC/DC轉換器設計

SiC功率元件

2017.12.21

SiC-SBD的產品產品一覽支援車電的650V/1200V、5A~40A

ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC(碳化矽)材料的SBD(蕭特基二極體)。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產,目前正在拓展第二代SiC-SBD,並推動在包括車電在內的...

Key Words :
1200V
1700V
650V
AEC-Q101
SiC
SiC-SBD
碳化矽
蕭特基二極體
車電

SiC功率元件

2017.12.21

在功率二極體中損耗最小的SiC-SBD

ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC(碳化矽)材料的SBD(蕭特基二極體)。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產,目前正在拓展第二代SiC-SBD,並推動在包括車載在內的...

Key Words :
FRD
SiC 蕭特基二極體
SiC-SBD
trr
功率因數改善 PFC
反向恢復時間
快速恢復二極體
正向電壓
溫度特性
碳化矽
開關損耗

SiC功率元件

2017.02.23

何謂碳化矽﹙Silicon Carbide﹚

碳化矽、SiC﹙Silicon Carbide﹚是比較新的半導體材料。一開始 SiC的物性和特徴 SiC是由矽﹙Si﹚和碳﹙C﹚所構成的化合物半導體材料。結合力非常強,在熱量上、化學上、機械上皆很安定...

Key Words :
SiC
SiC物性
功率元件
功率半導體
碳化矽