Key Words : 寄生二極體

上一篇文章中介紹了同步整流降壓轉換器的開關節點產生的開關損耗。本文將探討開關節產生的死區時間損耗。 PONH：高側MOSFET導通時的導通電阻帶來的傳導損耗 PONL：低側MOSFET導通時的...

Key Words :

DC/DC轉換器損耗

Flow-through Current

Shoot Through

同步整流降壓轉換器損耗

寄生二極體

損耗計算

死區時間

直通電流

降低損耗

電源損耗

體二極體

本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相對資訊。 獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET 在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM於世界首家實現了溝槽閘極...

Key Words :

Err

IGBT

irr

MOSFET輸入電容

SiC-MOSFET

SiC-SBD

trr

Vd-Id特性

二極體恢復損耗

內部二極體

寄生二極體

恢復電流

本體二極體

溝槽結構SiC-MOSFET

開關損耗

雙溝槽結構

上一章介紹了與IGBT的區別。本章將對SiC-MOSFET的本體二極體的順向特性與反向恢復特性進行說明。 如圖所示，MOSFET（不局限於SiC-MOSFET）在汲極-源極間存在本體二極體。從M...

Key Words :

Err

IGBT

irr

SiC-MOSFET

SiC-SBD

trr

Vd-Id特性

VF

二極體恢復損耗

內部二極體

寄生二極體

恢復電流

本體二極體

開關損耗

順向特性