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2019.04.11 SiC功率元件

支援工具: 全SiC模組損耗模擬器

全SiC功率模組

本文將介紹使用了全SiC模組的設計和評估支援工具。

全SiC模組損耗模擬器

ROHM免費提供可用來探討和選用全SiC模組的損耗模擬器。僅需選擇全SiC模組並設定輸入條件,就可以對模組內部的電晶體和二極體的損耗和溫度進行模擬。

這是輸入畫面示例。

G為Power Factor(功率因數),H為調變比,K為散熱器溫度,其他如字面所述。接下來是輸出畫面。

A顯示出模組內部每個電晶體的損耗P-Tr、P-Tr的SW損耗和DC損耗明細、以及SW損耗的SW(on)和SW(off)損耗明細。另外,同時還計算出了ΔTj-c(Ave)、接面溫度與外殼溫度的差、Tj(Ave)及接面溫度。B也同樣表示二極體的模擬結果。C為模組整體的損耗。這些資料可保存為CSV格式。

全SiC模組損耗模擬器可點擊這裡下載。

其他支援工具

還有其他一些相關的支援工具,具體內容請點擊下列連結。

重點:

・ROHM提供包括全SiC模組損耗模擬器在內的支援工具。

・支援工具有助於全SiC模組的選型和初期探討。

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