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AC/DC

使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例

主要零件的選型:MOSFET Q1

變壓器設計篇已經結束,接下來將圍繞電源ICBD7682FJ-LB的週邊元件進入零件選型部分。本文將摘錄並使用所要介紹的零件的週邊電路,需要確認整體電路時請點擊這裡

主要零件的選型:MOSFET Q1

MOSFET Q1是用來驅動變壓器一次側的電晶體,是本設計主題之一的“SiC-MOSFET”。

MOSFET的選型需要考慮最大漏極-源極間電壓、峰值電流、導通電阻Ron的損耗、封裝的最大額定損耗等。

低輸入電壓時,MOSFET的導通時間變長,Ron損耗帶來的發熱量增加。SiC-MOSFET的特點是Ron低,其傳導損耗也小,但請務必在組裝在實際PCB板和產品中的狀態下進行確認,並在必要時利用散熱器等來解決散熱問題。

20171017_graf_01

ID的額定值以Ippk×2左右作為大致的選擇標準。Ippk在變壓器設計的②中已經求出為0.66A。

Vds透過下列公式計算。

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Vspike則很難透過算式計算出來。所以,根據經驗,在添加緩衝電路的前提下,選擇Vds為1700V的MOSFET。在這個設計案例中,選擇ROHM生產的SiC-MOSFETSCT2H12NY(1700V、1.15Ω、4A、44W)”或“SCT2H12NZ(1700V、1.15Ω、3.7A、35W)”。

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下面以SCT2H12NY為例列出其最大額定值。關於其他參數和其他詳細資訊,請參考相應的技術規格書。

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重點:

・MOSFET Q1使用本設計主題之一的“SiC-MOSFET”。

・MOSFET的選型需要考慮最大Vds、峰值電流、導通電阻的損耗、封裝的最大額定損耗等。

・以Ippk×2左右作為ID額定值的大致選擇標準。

・Vds透過公式來計算。


PWM返馳式轉換器設計範例