Si FAQ

數位電晶體也如上所述，可對集極-射極間（OUT-GND間）的反方向施加最大5V的電壓，但當GND-IN中有電阻時，電流會通過該電阻流過。

普通的雙極電晶體 增添電阻R1(輸入電阻) 增添電阻R2(EB間電阻)
■關於電阻R1
・電阻R1的作用：將輸入電壓轉換成電流，使電晶體的工作穩定。
雙極電晶體如果將IC等的電壓輸出直接加到輸入（基極）端，利用電壓控制使電晶體工作，工作狀態將變得不穩定。
IC與基極引腳間接入電阻（輸入電阻）用電流控制使電晶體工作，則可以使它的工作狀態穩定。
（這是因為輸出電流對輸入電壓呈指數函數變化，但對輸入電流呈線性變化。）
數位電晶體中內建的R1就是這種輸入電阻。

電晶體在輸入為電壓控制及電流控制的輸出結果比較如下。

	電壓控制 輸入：射極-基極間電壓VEB	電流控制 輸入：基極電流IB
測量電路圖
理論運算式
輸入-輸出特性

從輸入-輸出特性可見，右側的電流控制中，輸出對輸入呈線性變化；左側的電壓控制中，輸出對輸入就呈指數函數變化。也就是說，用電壓控制時輸入的極小變化就會引起輸出電流很大變化，導致工作狀態不穩定。
例如右側的圖中，輸入電流從40μA改變為2倍的80μA時輸出電流從9mA變成2倍的18mA；而左側的圖中，輸入電壓從0.7V僅僅升高到0.8V（14％），輸出電流就從10mA變成70mA（7倍）。
因此，只要有微小的雜訊干擾進入輸入電壓就會引起輸出電流大幅度變化，也就不適合實際使用。
這樣，由於雙極電晶體採用電流控制更穩定，因而需要輸入電阻R1來將IC的輸出電壓轉換成基極電流。因為數位電晶體內建有這個R1，所以有利於減少元件數量和安裝空間。

■關於電阻R2
・電阻R2的作用：吸收漏電流，防止誤動作。
電阻R2是通過將從輸入端進來的漏電流和雜訊干擾等接地，來防止電晶體誤動作。

如果電流很微弱，輸入電流會完全進入地線。但是，如果輸入電流增大，則部分輸入電流開始進入電晶體的基極，電晶體導通。
如果輸入電流較小，所有的輸入電流會完全進入地線，電晶體不導通。（沒有漏電流等引起的誤動作）	如果輸入電流增大，部分輸入電流就進入基極，電晶體開始導通。（處於通常的導通狀態）
VR2=VBE<(EB間的正向電壓≒0.7V)時	VR2=VBE>(EB間的正向電壓≒0.7V)時

數位電晶體工作時，由於內建電晶體的射極-基極間（EB間）的正向有基極電流通過，所以向EB間施加有正向電壓（25℃條件下約為0.7V）。由於數位電晶體內建電晶體的EB 間與電阻R2並聯連接，所以對R2也同樣施加了0.7V電壓。從而可知，R2上有IR2=0.7V/10KΩ=70μA的電流通過。
當輸入電壓Vin為5V時，IN引腳的電位為5V，內建電晶體的EB間電位差為0.7V，所以電阻R1兩端的電壓是5V-0.7V = 4.3V 。 從而可知，R1上有IR1= 4.3V/10KΩ = 430uA的電流通過。
從而可知，內建電晶體的基極有430μA-70μA= 360μA的電流通過。
通過這樣的計算，就可以計算出流過內建電晶體的基極電流。要使數位電晶體充分導通（ =降低輸出電壓Vo（on）)，就要調整輸出電流Io和輸入電壓Vin，以使輸出電流Io達到進入內建電晶體的基極電流的10～20倍以下。當輸入電壓Vin不夠高、輸出電流不夠大時，請使用輸入電阻R1小的那種型號的數位電晶體。 當輸入電壓Vin不夠高、輸出電流不夠大時，請使用輸入電阻R1小的那種型號的數位電晶體。

溫度為25℃時，射極－基極間正向電壓約為0.7V。但當溫度變化時，溫度每上升1℃該正向電壓便減小約2.2mV。例如，50℃時約為0.7V- (50℃-25℃)×2.2mV= 0.645V。
反之，當溫度降低到-40℃時約為0.7+(25℃- (-40℃))×2.2mV=0.843V。
如上所述，請注意正向電壓VF也受溫度影響而變化。而且，還要注意，25℃時的正向電壓0.7V也只是大致資料，有±0.1左右的偏差。
數位電晶體的內建電阻R1、R2有±30％左右的波動，所以要考慮並計算電阻值最不利的情況。
如上所述，由於正向電壓和電阻值都有波動，所以可以認為上述計算方法得到的接合面果只是大致的數值。