알면 득이 되는 키 포인트

업계 최고 속도 trr의 「PrestoMOS™」 신규 라인업 「R60xxMNx 시리즈」：ON 저항과 Qg를 삭감하여, 한차원 높은 저소비전력화 실현

2019.06.06

로옴은, 업계 최고 속도의 trr (역회복 시간)을 실현한 PrestoMOS™의 라인업에 「R60xxMNx 시리즈」를 추가하였습니다. PrestoMOS는 표준 Super Junction MOSFET에 비해 trr을 약 60% 삭감함으로써, 스위칭 손실을 대폭 저감하여, 백색가전 및 산업기기 등의 모터 드라이버와 인버터 어플리케이션의 저소비전력화에 기여해 왔습니다. R60xxMNx 시리즈는 기존의 R60xxFNx 시리즈의 고속 trr 성능을 유지함과 동시에 ON 저항과 Qg (게이트 총 전하량)를 더욱 낮추어, 손실을 저감하기 위한 목적으로 개발되었습니다. 일반적으로 ON 저항과 Qg는 트레이드오프 관계지만, 로옴의 독자적인 프로세스 기술과 최적화 기술을 통해, 양쪽 모두를 달성하였습니다.

※PrestoMOS는 로옴의 등록상표입니다.

스위칭 손실과 도통 손실 삭감

R60xxMNx 시리즈는, 로옴의 독자적인 PrestoMOS의 고속 trr 성능을 유지하면서 ON 저항과 Qg를 대폭 저감하였습니다. 고속 trr을 통한 스위칭 손실 저감 및 ON 저항 저감에 따른 도통 손실의 삭감, 그리고 Qg 저감에 따른 드라이브 전류 삭감 및 고속성의 향상을 실현하였습니다. 이에 따라, 인버터 탑재 에어컨 등 모터 구동의 어플리케이션 예에서 IGBT를 사용한 경우에 비해 경부하 시의 전력 손실을 약 56% 저감하였으며, 이는 최근의 APF (연간 에너지 소비 효율)의 개선에 매우 효과적입니다.

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인버터 및 모터 드라이버 회로의 FRD가 불필요

앞서 게재한 바와 같이, 기존의 표준 타입 Super Junction MOSFET에 비해 trr이 60% 삭감되었습니다. 이는, 내부 다이오드의 trr 특성을 크게 개선한 결과입니다. 특히 인버터 회로 및 모터 드라이버 회로의 회생 전류에 의한 전류 (転流) 손실은 trr에 의존합니다. 통상적인 MOSFET 및 IGBT는, 내부 다이오드의 trr이 느려 손실이 커지므로 FRD (패스트 리커버리 다이오드)를 2개 외장합니다. PrestoMOS는 trr이 빠르므로 손실 저감은 물론, 2개의 외장 FRD도 필요 없습니다.

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R60xxMNx 시리즈

패키지	용도	품명	극성 (ch)	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D(W) (Tc＝25°C)	R_DS(on)(Ω)		Qg Typ. (nC)	trr (Typ.) (ns)	구동 전압 (V)
							V_GS＝10V		Qg Typ. (nC)
							Typ.	Max	V_GS＝10V
TO-252	스위칭	R6010MND3	N	600	10	143	0.28	0.38	20	80	10
		☆R6008MND3		600	8	115	0.45	0.61	13.5	65
		R6007MND3		600	7	95	0.54	0.73	10	60
TO-220FM		R6030MNX		600	30	90	0.11	0.15	45	90
TO-220FM		☆R6020MNX		600	20	72	0.19	0.25	30	85
TO-3PF		R6047MNZ		600	47	102	0.06	0.081	70	105
TO-247		R6076MNZ1		600	76	740	0.04	0.055	115	135
TO-247		R6047MNZ1		600	47	440	0.06	0.081	70	105

☆：개발중

※PrestoMOS™의 최신 라인업은 홈페이지를 참조하여 주십시오.

※본 기사는 2017년 11월 시점의 내용입니다.

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