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알면 득이 되는 키 포인트

업계 최고 속도 trr의 「PrestoMOS™」 신규 라인업 「R60xxMNx 시리즈」

ON 저항과 Qg를 삭감하여,
한차원 높은 저소비전력화 실현

주목 키워드
  • PrestoMOS
  • R60xxMNx 시리즈
  • Qg
  • 게이트 총 전하량
  • ON 저항
  • 스위칭 손실
  • 도통 손실
  • Super Junction MOSFET
  • trr
  • 역회복 시간
  • APF
  • 연간 에너지 소비 효율
  • 인버터 회로
  • 모터 드라이버 회로
  • 회생 전류
  • 전류 (転流) 손실
  • FRD
  • 패스트 리커버리 다이오드
  • IGBT

로옴은, 업계 최고 속도의 trr (역회복 시간)을 실현한 PrestoMOS™의 라인업에 「R60xxMNx 시리즈」를 추가하였습니다. PrestoMOS는 표준 Super Junction MOSFET에 비해 trr을 약 60% 삭감함으로써, 스위칭 손실을 대폭 저감하여, 백색가전 및 산업기기 등의 모터 드라이버와 인버터 어플리케이션의 저소비전력화에 기여해 왔습니다. R60xxMNx 시리즈는 기존의 R60xxFNx 시리즈의 고속 trr 성능을 유지함과 동시에 ON 저항Qg (게이트 총 전하량)를 더욱 낮추어, 손실을 저감하기 위한 목적으로 개발되었습니다. 일반적으로 ON 저항과 Qg는 트레이드오프 관계지만, 로옴의 독자적인 프로세스 기술과 최적화 기술을 통해, 양쪽 모두를 달성하였습니다.

※PrestoMOS는 로옴의 등록상표입니다.

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스위칭 손실과 도통 손실 삭감

R60xxMNx 시리즈는, 로옴의 독자적인 PrestoMOS의 고속 trr 성능을 유지하면서 ON 저항과 Qg를 대폭 저감하였습니다. 고속 trr을 통한 스위칭 손실 저감 및 ON 저항 저감에 따른 도통 손실의 삭감, 그리고 Qg 저감에 따른 드라이브 전류 삭감 및 고속성의 향상을 실현하였습니다. 이에 따라, 인버터 탑재 에어컨 등 모터 구동의 어플리케이션 예에서 IGBT를 사용한 경우에 비해 경부하 시의 전력 손실을 약 56% 저감하였으며, 이는 최근의 APF (연간 에너지 소비 효율)의 개선에 매우 효과적입니다.

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인버터 및 모터 드라이버 회로의 FRD가 불필요

앞서 게재한 바와 같이, 기존의 표준 타입 Super Junction MOSFET에 비해 trr이 60% 삭감되었습니다. 이는, 내부 다이오드의 trr 특성을 크게 개선한 결과입니다. 특히 인버터 회로 및 모터 드라이버 회로의 회생 전류에 의한 전류 (転流) 손실은 trr에 의존합니다. 통상적인 MOSFET 및 IGBT는, 내부 다이오드의 trr이 느려 손실이 커지므로 FRD (패스트 리커버리 다이오드)를 2개 외장합니다. PrestoMOS는 trr이 빠르므로 손실 저감은 물론, 2개의 외장 FRD도 필요 없습니다.

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R60xxMNx 시리즈

패키지 용도 품명 극성
(ch)
VDSS
(V)
ID
(A)
PD(W)
(Tc=25°C)
RDS(on)(Ω) Qg Typ.
(nC)
trr
(Typ.)
(ns)
구동
전압
(V)
VGS=10V
Typ. Max VGS=10V
TO-252 스위칭 R6010MND3 N 600 10 143 0.28 0.38 20 80 10
R6008MND3 600 8 115 0.45 0.61 13.5 65
R6007MND3 600 7 95 0.54 0.73 10 60
TO-220FM R6030MNX 600 30 90 0.11 0.15 45 90
☆R6020MNX 600 20 72 0.19 0.25 30 85
TO-3PF R6047MNZ 600 47 102 0.06 0.081 70 105
TO-247 R6076MNZ1 600 76 740 0.04 0.055 115 135
R6047MNZ1 600 47 440 0.06 0.081 70 105

☆:개발중

PrestoMOS™의 최신 라인업은 홈페이지를 참조하여 주십시오.

※본 기사는 2017년 11월 시점의 내용입니다.

업계 최고 속도 trr의 「PrestoMOS™」 신규 라인업 「R60xxMNx 시리즈」
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