제3세대 SiC 쇼트키 배리어 다이오드SCS3 시리즈：제3세대는 새로운 구조를 통해 서지 전류 내성 향상, VF 특성은 한층 더 개선

로옴의 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 (이하, SiC-SBD)는 「SCS3 시리즈」로 제3세대가 되었습니다. 로옴의 SiC-SBD는 차세대 제품일수록 순방향 전압의 저감을 비롯한, 다양한 특성이 개선되어 진화를 거듭하고 있습니다. 현재 양산중인 제2세대 SiC-SBD는, 순방향 전압 「V_F＝1.35V @25℃」를 실현하였습니다. 그리고 제3세대 SCS3 시리즈는 V_F 특성을 한층 더 개선함과 동시에 서지 전류 내성 I_FSM을 대폭 향상시켰습니다.

JBS 구조 채용으로 High I_FSM, Low V_F, Low I_R 실현

SiC-SBD의 제3세대인 SCS3 시리즈는 서지 전류 내성 I_FSM을 향상시키기 위해, JBS (Junction Barrier Schottky) 구조를 채용하였습니다. 또한, 손실 저감을 위해 제2세대에서 실현한 Low V_F 특성을 한층 더 개선하였습니다. 이에 따라, 기기의 비정상적인 동작 등으로 발생하는 서지 전류에 대한 내성이 향상되어, 더욱 안심하고 사용할 수 있습니다.

로옴은 제2세대 SiC-SBD에서, 당시 업계 최소인 순방향 전압 V_F＝1.35V @25℃, 1.55V @150℃를 실현하였습니다. 제3세대 제품은 25℃일 때의 V_F는 1.35V로 동일하지만, 150℃일 때의 V_F를 1.44V까지 저감하였습니다. 이에 따라, 고온 조건하에서 도통 손실을 한층 더 저감할 수 있으므로, 효율 향상이 가능합니다.

일반적으로, 순방향 전압을 저감하면, 역방향의 리크 전류 I_R이 증가하게 됩니다. 제3세대 SiC-SBD는 JBS 구조를 채용함으로써 이러한 과제를 극복하여, 순방향 전압을 저감함과 동시에 리크 전류를 낮게 억제하는데 성공하였습니다. 제2세대 대비 정격전압 650V, Tj=150℃일 때 약 1/15로 리크 전류를 저감하였습니다.

※본 기사는 2017년 3월 시점의 내용입니다.