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자사의 SiC-MOSFET와 SiC-SBD로 구성한 「Full SiC」 파워 모듈

제3세대 SiC-MOSFET 채용, 라인업 확충

주목 키워드
  • Full SiC 파워 모듈
  • 제3세대 SiC-MOSFET
  • SiC-SBD
  • 스위칭 손실
  • 고효율
  • 소형화
  • 라인업

로옴은 세계를 선도하여, 자사의 SiC-MOSFET와 SiC-SBD를 사용하여 구성한 「Full SiC」 파워 모듈을 양산하고 있습니다. 기존의 Si-IGBT 파워 모듈 대비, 고속 스위칭과 대폭적인 손실 저감이 가능합니다. 최신 모듈에는 제3세대 SiC-MOSFET를 채용하여, 저손실을 한층 더 실현하였습니다.

제3세대 SiC-MOSFET를 채용하여, 손실을 한층 더 저감

Full SiC 파워 모듈을 구성하는 SiC-MOSFET는 진화를 거듭하고 있으며, 차세대 제품인 Trench 구조를 채용한 제3세대 제품도 개발됨에 따라, SiC 모듈에도 제3세대 SiC-MOSFET를 사용한 제품이 개발되었습니다.

BSM180D12P3C007」은 제3세대 SiC-MOSFET를 사용함으로써, 저 ON 저항화와 대전류화를 추진한 1200V / 180A, Ron 10mΩ (typ.)의, SiC-SBD 내장 타입 Full SiC 파워 모듈입니다. 하기는 기존품과의 관계를 나타낸 그림입니다.

3G

BSM180D12P3C007은 스위칭 손실을 IGBT 모듈 대비 대폭 삭감하였으며, 기존의 SiC 모듈에 비해서도 42% 삭감하였습니다. 이에 따라, 어플리케이션의 고효율화소형화를 한층 더 실현할 수 있습니다.

3Geffi

Full SiC 파워 모듈의 라인업 확충

하기 표는 Full SiC 파워 모듈의 라인업입니다. BSM180D12P3C007과 더불어, 제2세대 SiC-MOSFET를 사용한 라인업에도 신제품이 추가되고 있습니다. 앞으로도 지속적으로 라인업을 확충해나갈 것입니다.

품명 절대 최대 정격 (Tj=25°C) RDS
(ON)
(mΩ)
패키지 서미스터 내부 회로도
VDS
(V)
ID
(A)
(Tc=
60°C)
Tj
(°C)
Tstg
(°C)
Visol
(V)
(AC1min.)
BSM080D12P2C008
(2G. DMOS)
1200 80 -40 to
+175
-40 to
+125
2500 34 C
type
없음 161115_img_01
BSM120D12P2C005
(2G. DMOS)
120 20
BSM180D12P3C007
(3G.UMOS)
180 10
BSM120C12P2C201
(2G.DMOS)
120 20 161115_img_02
BSM180D12P2E002
(2G.DMOS)
180 10 E
type
있음 161115_img_03
BSM300D12P2E001
(2G. DMOS)
300 7.3

※본 기사는 2016년 12월 시점의 내용입니다.

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