SCT2H12NZ : 1700V 고내압 SiC-MOSFET：SiC용 AC-DC 컨버터 제어 IC와 조합하여 효율 대폭 향상

로옴은 파워 디바이스의 개발에 주력하고 있습니다. 현재 양산 중인 「SCT2H12NZ」는 1700V라는 고내압을 실현한 SiC-MOSFET입니다. 기존의 650V와 1200V의 라인업에 한층 더 고내압인 버전을 추가한 것입니다. 1700V의 고내압과 동시에, SiC의 특성을 활용하여 ON 저항을 대폭 저감한 MOSFET입니다. 또한, SiC-MOSFET용 플라이백 컨버터 제어 IC와 함께 사용함으로써 효율을 대폭 개선할 수 있습니다. 로옴은 최첨단 파워 디바이스와 더불어, 그 성능을 충분히 발휘시킬 수 있는 제어 디바이스의 개발도 촉진하고 있습니다.

SiC-MOSFET 성능의 최대화를 위해서는 게이트 드라이브의 최적화가 필요

SiC-MOSFET의 성능을 최대한으로 발휘시키기 위해서는 SiC-MOSFET의 구동, 즉 게이트 드라이브를 최적화해야 합니다. 로옴은 누구나 간단히 SiC-MOSFET를 사용하여 전원을 설계할 수 있도록, SiC-MOSFET 개발뿐만 아니라 제어 디바이스의 개발에도 주력하고 있습니다. 「BD7682FJ-LB」는 SiC-MOSFET를 파워 스위치에 사용하는 것을 전제로 개발한 플라이백 컨버터 제어 IC입니다.

유사공진 제어의 소프트 스위칭을 통한 low EMI 동작, burst 모드를 통한 경부하 시의 저소비전류 동작 등, 각종 보호 기능을 구비한 최첨단 기능 구성에, SiC-MOSFET 구동에 최적화된 게이트 클램프 회로를 탑재하였습니다. 또한, 산업기기용 제품이므로, 장기간 공급 보증 (-LB)에 대응합니다.

＜BD7682FJ-LB＞

• 유사공진 방식 (Low EMI)
• SiC-MOSFET 구동 게이트 클램프 회로
• 동작 전원전압 범위 (VCC) : 15.0V~27.5V
• 경부하 시 burst 동작, 주파수 저감 기능
• 동작전류 : 0.80mA (typ.),
      burst 시 0.50mA (typ.)
• 스탠바이 시 저소비전류 : 19µA
• 최대 발진 주파수 : 120kHz (typ.)
• 동작온도 범위 : -40℃~105℃
• SOP-J8 패키지
      (6.0×4.9mm, 1.27mm pitch)
• 보호 VCC UVLO, VCC OVP,
      사이클 별 과전류 보호,
      ZT trigger mask 기능, ZT OVP, 브라운 아웃
• 산업기기용 장기간 공급 보증

BD7682FJ-LB 블록도 및 응용 회로 예
(클릭하면 확대)

Si-MOSFET 솔루션 대비 효율 6% 개선

SCT2H12NZ와 BD7682FJ-LB로 구성된 AC-DC 컨버터는, Si-MOSFET 사용 회로에 비해 효율이 6% 개선된 것을 확인할 수 있습니다 (로옴의 레퍼런스 보드 상에서 비교). 동시에 발열도 저감할 수 있으므로, 회로의 소형화가 가능합니다. 하기는 평가 보드와 효율 비교 데이터입니다.

SCT2H12NZ와 BD7682FJ-LB로 구성된 평가 보드는 「BD7682FJ-LB-EVK-402」라는 품명으로 온라인 판매 중이므로, 최적화된 SiC-MOSFET를 사용한 플라이백 컨버터 평가를 구입 즉시 실시할 수 있습니다. 로옴은 이 플라이백 컨버터 평가 보드 이외에도 Full SiC 모듈의 게이트 드라이브 평가 보드 등을 구비하고 있습니다. 기존의 Si 디바이스에 비해 우수한 특성을 지닌 SiC-MOSFET는 동작시키는 회로에 있어서도 최적화가 필요하므로, 레퍼런스가 없는 상태에서는 평가 작업이 매우 어려울 것으로 생각됩니다. 따라서, SiC 디바이스를 활용하고자 하시는 분, 개발 작업을 효율 있게 진행하고자 하시는 분은 이러한 평가 보드를 이용해 보시기를 추천드립니다. 상세 내용은 로옴 홈페이지의 「SiC 서포트 페이지」를 참조하여 주십시오.

※본 기사는 2016년 6월 시점의 내용입니다.

제품 정보

• SiC-MOSFET
• AC-DC 컨버터
• Full SiC 파워 모듈