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BD9G341AEFJ : 업계 최고 수준의 80V 고내압과 고효율을 실현한 DC/DC 컨버터

고내압 · 저 ON 저항 MOSFET를 내장한
강압 1ch DC/DC 컨버터

주목 키워드
  • 80V
  • MOSFET 내장
  • ON 저항
  • 쇼트키 배리어 다이오드
  • 보호 기능

로옴은 80V 고내압 MOSFET를 내장한 DC/DC 컨버터용 IC 「BD9G341AEFJ」를 개발하였습니다. 80V라는 내압은 파워 트랜지스터를 내장한 비절연형 DC/DC 컨버터 IC로는 세계 최고 수준이며, 로옴의 DC/DC 컨버터 라인업 중에서도 가장 내압이 높은 기종입니다. 고내압 DC/DC 컨버터는 텔레콤 관련 및 산업기기를 비롯하여, 최근에는 배터리 스택을 이용하는 어플리케이션이 증가함에 따라 그 수요가 높아지고 있습니다. 그러나, 60V를 넘는 내압을 지닌 DC/DC 컨버터용 IC의 공급 메이커는 한정되어 있으며, 종류도 그다지 많지 않은 것이 현실입니다.

BD9G341AEFJ는 파워 스위치로서 80V / 3.5A 정격의 Nch MOSFET를 내장한 DC/DC 컨버터용 IC이며, 적은 외장 부품을 추가하는 것만으로 고성능 고내압 DC/DC 컨버터를 구축할 수 있습니다. 일반적으로 고내압 DC/DC 컨버터는 회로 구성 시 고내압 MOSFET를 외장함으로써, 고내압을 실현하는 경우가 많습니다. 그러나, BD9G341AEFJ의 경우, IC화를 위해서는 고도의 기술이 필요한 고내압 MOSFET를 내장함으로써 실장 면적의 삭감 및 설계의 간소화를 실현하였습니다. 또한, 내장된 MOSFET의 ON 저항은 150mΩ으로 낮아, 효율 향상에 기여합니다.

BD9G341AEFJ의 변환 방식은 다이오드 정류 또는 비동기 정류라는 강압 방식입니다. High-side MOSFET는 내장되어 있지만, 캐치 다이오드 (catch diode)는 외장입니다. 캐치 다이오드는 쇼트키 배리어 다이오드로, 회로의 최대 입력전압을 허용할 수 있는 고내압 제품이 필요합니다. 로옴에서는 스위칭 전원에 적합한 다양한 다이오드를 구비하고 있어, BD9G341AEFJ에 필요한 쇼트키 배리어 다이오드도 함께 공급할 수 있습니다.

하기에 주요 특징과 표준 회로 예를 기재하였습니다. 전류 모드 제어 채용으로 위상보상이 간단하여 고속 과도 응답을 실현합니다. 스위칭 주파수는 50kHz~750kHz 범위에서 설정할 수 있어, 사이즈와 효율의 최적화가 가능합니다. 또한, 필요한 대부분의 보호 기능이 탑재되어 있습니다.

<특징>

  • ・정격 80V / 3.5A,
       Ron 150mΩ Nch MOSFET 내장
  • ・최대 출력전류 : 3A
  • ・입력전압 범위 : 12V~76V
  • ・출력전압 범위 : 1.0V~입력전압
  • ・스위칭 주파수 (가변) : 50kHz~750kHz
  • ・전류 모드로 고속 과도 응답
  • ・기준전압 : 1.0V±1.5% (25℃),
       ±2% (모든 온도 범위)
  • ・고정밀도 EN threshold ±3%
  • ・소프트 스타트 기능
  • ・스탠바이 기능
  • ・과전류 보호 (OCP), 저입력 오동작 방지 (UVLO),
       온도 보호회로 (TSD), 과전압 보호 (OVP) 탑재
  • ・동작온도 범위 : -40℃~+85℃
  • ・패키지 : HTSOP-J8 (4.9 x 6.0 x 1.0mm)

<회로 예>

P16_3_appli1

pkg1

※본 기사는 2016년 4월 시점의 내용입니다.

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