어플리케이션에 따라 끊임없이 진화하는 실리콘 다이오드：효율 중시와 내압 / 리크 중시

로옴은 다양한 실리콘 다이오드를 생산하고 있습니다. 그 중에서도 파워계 어플리케이션에 적합한 특성과 사양을 지닌 다이오드를 소개하고자 합니다. 파워계 어플리케이션에서 다이오드의 용도는 대부분 정류입니다. 예를 들어, 전원 회로에서는 출력 정류용으로 쇼트키 배리어 다이오드나 패스트 리커버리 다이오드가 사용됩니다. 어떤 다이오드를 사용할 것인지는 정격전압과 전류, VF 및 IR, trr 등의 파라미터를 바탕으로 선택하게 됩니다. 최근 Si 베이스의 파워계 다이오드는 어플리케이션의 요구에 대응하기 위해, 기존의 약점을 개선하고 트레이드오프가 경감된 제품의 개발이 추진되고 있습니다.

일반적인 다이오드가 PN 접합으로 구성된 반면, 쇼트키 배리어 다이오드 (SBD)는 금속과 반도체와의 접합으로 인해 생기는 쇼트키 장벽을 이용한 다이오드입니다. 일반적으로 PN 접합 다이오드에 비해 순방향 전압 (VF)이 낮고, 고속 스위칭이 특징입니다. 그러나, 역방향 리크 전류 (IR)가 크다는 단점이 있으며, 내압이 200V 이하로 다른 Si 다이오드에 비해 그다지 높지 않습니다.

로옴의 SBD 라인업에는 효율 향상을 위해 초저 VF를 특징으로 한 시리즈 및, 내압을 유지함과 동시에 IR을 마이크로 암페어로 억제한 초저 IR 시리즈가 구비되어 있습니다. 하기는 어플리케이션의 요구에 대해 IR을 세로축, VF를 가로축으로 하여 SBD 시리즈를 나타낸 그림입니다.

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※본 기사는 2016년 4월 시점의 내용입니다.

제품 정보

• 쇼트키 배리어 다이오드
• 패스트 리커버리 다이오드
• SiC-SBD