전원 설계 기술 정보 사이트

기술 자료 다운로드

제품 정보

라인업 및 특징을 선택하여, 간단히 최적의 전원 IC, Si 및 SiC MOSFET, 다이오드 등 관련 제품에 액세스할 수 있습니다.

SiC 쇼트키 배리어 다이오드

SiC-SBD는 스위칭 손실을 저감할 수 있어, 고속 스위칭 가능. 고속 스위칭 전원의 PFC 회로에서 높은 실적 보유.

650V
Part No. IF (A) PD (W) Package AEC-Q101
SCS206AG 6 51 TO-220AC2L
SCS206AGHR 6 51 TO-220AC
SCS206AJ 6 48 TO-263AB (LPTL)
SCS206AM 6 31 TO-220FM2L
SCS208AG 8 68 TO-220AC2L
SCS208AGHR 8 68 TO-220AC
SCS208AJ 8 62 TO-263AB (LPTL)
SCS208AM 8 34 TO-220FM2L
SCS210AG 10 78 TO-220AC2L
SCS210AGHR 10 78 TO-220AC
SCS210AJ 10 83 TO-263AB (LPTL)
SCS210AM 10 34 TO-220FM2L
SCS212AG 12 93 TO-220AC2L
SCS212AGHR 12 93 TO-220AC2L
SCS212AJ 12 88 TO-263AB (LPTL)
SCS212AM 12 37 TO-220FM2L
SCS215AE 15 110 TO-247
SCS215AG 15 110 TO-220AC2L
SCS215AGHR 15 110 TO-220AC
SCS215AJ 15 100 TO-263AB (LPTL)
SCS215AM 15 39 TO-220FM2L
SCS220AE 20 130 TO-247
SCS220AE2 20 160 TO-247
SCS220AE2HR 20 160 TO-247
SCS220AG 20 130 TO-220AC2L
SCS220AGHR 20 130 TO-220AC
SCS220AJ 20 100 TO-263AB (LPTL)
SCS220AM 20 40 TO-220FM2L
SCS230AE2 30 230 TO-247
SCS230AE2HR 30 230 TO-247
SCS240AE2 40 270 TO-247
SCS240AE2HR 40 270 TO-247
S6204 8 Bare Die
S6202 10 Bare Die
S6207 15 Bare Die
S6203 20 Bare Die
1200V
Part No. IF (A) PD (W) Package AEC-Q101
SCS205KG 5 88 TO-220AC2L
SCS205KGHR 5 88 TO-220AC
SCS210KE2 10 170 TO-247
SCS210KE2HR 10 170 TO-247
SCS210KG 10 150 TO-220AC2L
SCS210KGHR 10 150 TO-220AC
SCS215KG 15 180 TO-220AC2L
SCS215KGHR 15 180 TO-220AC
SCS220KE2 20 280 TO-247
SCS220KE2HR 20 280 TO-247
SCS220KG 20 210 TO-220AC2L
SCS220KGHR 20 210 TO-220AC
SCS230KE2 30 360 TO-247
SCS240KE2 40 420 TO-247
1700V
1700V P/N 10A 17A 25A 50A
Bare chip S64xx…x 개발중 개발중 개발중 개발중

SiC MOSFET

SiC MOSFET는 스위칭 동작 시의 tail 전류가 원리적으로 없으므로, 고속 동작하여 스위칭 손실 저감 가능. 작은 칩 사이즈로 저 ON 저항을 달성할 수 있어, 저용량, 낮은 게이트 차지 실현.

BVDSS P/N Package RDS on ID max SBD
400V SCTMU001F TO220AB 120mΩ 20A -
650V SCT2120AF TO220AB 120mΩ 29A -
1200V SCT2080KE TO247 80mΩ 40A -
1200V SCH2080KE TO247 80mΩ 40A 내장
1200V SCT2160KE TO247 160mΩ 22A -
1200V SCT2280KE TO247 280mΩ 14A -
1200V SCT2450KE TO247 450mΩ 10A -
1700V SCT2H12NZ TO3PFM 1.15Ω 3.7A -

SiC 파워 모듈

SiC 파워 모듈은 IGBT 모듈에 비해 대폭적인 손실 저감 가능. 스위칭 손실이 작아, 높은 스위칭 주파수에서 동작 실현.

BVDSS ID max P/N Package Internal circuit
Diagram MOS SBD NTC
1200V 80A BSM080D12P2C008 C type
1200V 120A BSM120D12P2C005
1200V 180A BSM180D12P2C101
1200V 180A BSM180D12P3C007
1200V 300A BSM300D12P2E001 E type