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제품 정보

라인업 및 특징을 선택하여, 간단히 최적의 전원 IC, Si 및 SiC MOSFET, 다이오드 등 관련 제품에 액세스할 수 있습니다.

Si 쇼트키 배리어 다이오드

패스트 리커버리 다이오드

Si MOSFET

Si 쇼트키 배리어 다이오드

초저 VF

RBxx1 시리즈
RB161MM-20 RB051MM-2Y RB051L-40
RBE 시리즈
RBE05AS20A RBE05SM20A RBE2VAM20A

Low VF

RBxx5 시리즈
RB055L-30 RB055L-40 RB055L-60
RBxx0 시리즈
RB160VAM-40 RB160MM-40 RB160L-40
RBR 시리즈
RBR3MM40A RBR5L40A ■ RBR20BM40A

Low IR

RBQ 시리즈
■ RBQ20BM45A RBQ30NS45A RBQ30T45A
RBxx7 시리즈 (NEW Low IR)
■ RB087BM-40 ■ RB227NS-60 ■ RB227T100

초저 IR

RBxx8 시리즈
RB088BM-40 RB238NS-40 RB238T-40

패스트 리커버리 다이오드

초저 VF

RFNL 시리즈
RFNL5BM6S RFNL10TJ6S RFNL20TJ6S

범용 표준 타입

RFN 시리즈
RFN20TJ6S RFN30TS6S RFN60TS6D

고속 trr

RFUH 시리즈
RFUH20TJ6S RFUH30TS6D RFUH60TS6D
RFV 시리즈
RFV8TJ6S RFV15TJ6S RFV15TG6S

Si MOSFET

표준 SJ MOSFET : AN 시리즈

Planar MOSFET 대비, ON 저항과 게이트 전하 (Qg) 대폭 저감

R50xxANx 시리즈 (500V)
Part No. Package VDSS[V] ID[A] RDS(on)[Ω]
at 10V Typ.
R5021ANX TO220FM 500 21 0.16
R5019ANX 19 0.18
R5016ANX 16 0.21
R5013ANX 13 0.29
R5011ANX 11 0.38
R5009ANX 9 0.55
R5007ANX 7 0.75
R5005CNX 6 0.9
R5021ANJ LPTS 21 0.16
R5016ANJ 16 0.21
R5013ANJ 13 0.29
R5011ANJ 11 0.38
R5009ANJ 9 0.55
R5007ANJ 7 0.78
R5005CNJ 5 1.2
SP8K80 SOP8 (Dual) 0.5 9
R50xxANx 시리즈 (520V)
Part No. Package VDSS[V] ID[A] RDS(on)[Ω]
at 10V Typ.
R5207AND CPT3 525 7 0.78
R5205CND 5 1.2
R60xxANx 시리즈 (600V)
Part No. Package VDSS[V] ID[A] RDS(on)[Ω]
at 10V Typ.
R6046ANZ TO247 600 46 0.069
R6046ANZ TO3PF 46 0.065
R6025ANZ 25 0.12
R6020ANZ 20 0.17
R6015ANZ 15 0.23
R6020ANX TO220FM 20 0.17
R6015ANX 15 0.23
R6012ANX 12 0.32
R6010ANX 10 0.43
R6008ANX 8 0.6
R6006ANX 6 0.85
R6020ANJ LPTS 20 0.19
R6015ANJ 15 0.23
R6012ANJ 12 0.32
R6010ANJ 10 0.43
R6008ANJ 8 0.6
R6006AND CPT3 6 0.9
R6004CND 4 1.4
R80xxANx 시리즈 (800V)
Part No. PKG VDSS (V) ID (A) RDS(on) Typ.(Ω)
Vgs=10V
Qg
Typ.(nC) 
Vgs=10V
R8001CND CPT3
D-pack
800 1 6.7 7.2
R8002CND 2 3.3 12.7
R8005AND3 TO252
D-pack
800 5 1.6 21
R8007AND3 7 1.05 28
R8002ANJ LPT
D2-pack
800 2 3.3 12.7
R8005ANJ 5 1.6 21
R8008ANJ 8 0.79 39
R8002ANX TO220FM 800 2 3.3 12.7
R8005ANX 5 1.6 21
R8008ANX 8 0.79 39
R8010ANX 10 0.43 62
R8012ANZ1 TO247 800 12 0.35 78
R8016ANZ1 16 0.23 115

Low Noise SJ MOSFET : EN 시리즈

SJ MOSFET는 ON 저항이 낮고, 스위칭 속도가 빠르지만, 그 고속성을 위해 노이즈가 크다는 점을 개선.
・Planar MOS의 Low Noise 특성과 SJ MOS의 저 ON 저항 특성을 겸비한 타입
・Planar MOS를 저 ON 저항으로 대체

R60xxENx 시리즈 (600V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on) (Ω) Vgs=10V Qg (nC)
Vgs=10V
Typ.
Typ. MAX
CPT
3D-pak
R6002END 600 1.7 2.8 3.4 6.5
R6004END 4 0.9 0.98 15
TO252E
D-pak
R6007END3 600 7 0.57 0.62 20
R6009END3 9 0.5 0.535 23
R6011END3 11 0.34 0.39 32
LPT
D2-pak
R6004ENJ 600 4 0.9 0.98 15
R6007ENJ 7 0.57 0.62 20
R6009ENJ 9 0.5 0.535 23
R6011ENJ 11 0.34 0.39 32
R6015ENJ 15 0.26 0.29 40
R6020ENJ 20 0.17 0.196 60
R6024ENJ 24 0.15 0.165 70
TO220FM R6004ENX 600 4 0.9 0.98 15
R6007ENX 7 0.57 0.62 20
R6009ENX 9 0.5 0.535 23
R6011ENX 11 0.34 0.39 32
R6015ENX 15 0.26 0.29 40
R6020ENX 20 0.17 0.196 60
R6024ENX 24 0.15 0.165 70
R6030ENX 30 0.115 0.13 85
TO3PF R6015ENZ 600 15 0.26 0.29 40
R6020ENZ 20 0.17 0.196 60
R6024ENZ 24 0.15 0.165 70
R6030ENZ 30 0.115 0.13 85
R6035ENZ 35 0.095 0.102 110
TO247 R6020ENZ1 600 20 0.17 0.196 60
R6024ENZ1 24 0.15 0.165 70
R6030ENZ1 30 0.115 0.13 85
R6035ENZ1 35 0.095 0.102 110
R6047ENZ1 47 0.066 0.072 145
R6076ENZ1 76 0.038 0.042 260
R65xxENx 시리즈 (650V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on) (Ω) Vgs=10V Qg (nC)
Vgs=10V
Typ.
Typ. MAX
CPT3
D-pak
R6502END 650 1.7 3.1 3.57 6.5
R6504END 4 0.99 1.14 15
TO252E
D-pak
R6507END3 650 7 0.63 0.725 20
R6509END3 9 0.55 0.64 23
R6511END3 11 0.375 0.435 32
LPT
D2-pak
R6504ENJ 650 4 0.99 1.14 15
R6507ENJ 7 0.63 0.725 20
R6509ENJ 9 0.55 0.64 23
R6511ENJ 11 0.375 0.435 32
R6515ENJ 15 0.29 0.335 40
R6520ENJ 20 0.19 0.22 60
R6524ENJ 24 0.165 0.19 70
TO220FM R6504ENX 650 4 0.99 1.14 15
R6507ENX 7 0.63 0.725 20
R6509ENX 9 0.55 0.64 23
R6511ENX 11 0.375 0.435 32
R6515ENX 15 0.29 0.335 40
R6520ENX 20 0.19 0.22 60
R6524ENX 24 0.165 0.19 70
R6530ENX 30 0.13 0.15 85
TO3PF R6515ENZ 650 15 0.29 0.335 40
R6520ENZ 20 0.19 0.22 60
R6524ENZ 24 0.165 0.19 70
R6530ENZ 30 0.13 0.15 85
R6535ENZ 35 0.102 0.118 110
TO247 R6520ENZ1 650 20 0.19 0.22 60
R6524ENZ1 24 0.165 0.19 70
R6530ENZ1 30 0.13 0.15 85
R6535ENZ1 35 0.102 0.118 110
R6547ENZ1 47 0.073 0.084 145
R6576ENZ1 76 0.042 0.049 260

고속 SJ MOSFET : KN 시리즈

Low Noise 특성을 유지함과 동시에, 고속 스위칭 가능한 디바이스의 요구에 대응.
・고속 스위칭 특성과 저 ON 저항에 중점
・Rg와 Qgd를 저감하여 스위칭 성능 향상
・스위칭 손실을 저감하여 고효율화

R60xxKN 시리즈 (600V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on) (Ω) Vgs=10V Qg (nC)
Vgs=10V
Typ.
Typ. MAX
CPT3
D-pak
R6002KND 600 1.7 2.8 3.4 4.5
R6004KND 4 0.9 0.98 10
TO252E
D-pak
R6007KND3 600 7 0.57 0.62 14
R6009KND3 9 0.5 0.535 16
R6011KND3 11 0.34 0.39 22
LPT
D2-pak
R6004KNJ 600 4 0.9 0.98 10
R6007KNJ 7 0.57 0.62 14
R6009KNJ 9 0.5 0.535 16
R6011KNJ 11 0.34 0.39 22
R6015KNJ 15 0.26 0.29 27
R6020KNJ 20 0.17 0.196 40
R6024KNJ 24 0.15 0.165 47
TO220FM R6004KNX 600 4 0.9 0.98 10
R6007KNX 7 0.57 0.62 14
R6009KNX 9 0.5 0.535 16
R6011KNX 11 0.34 0.39 22
R6015KNX 15 0.26 0.29 27
R6020KNX 20 0.17 0.196 39
R6024KNX 24 0.15 0.165 47
R6030KNX 30 0.115 0.13 57
TO3PF R6015KNZ 600 15 0.26 0.29 27
R6020KNZ 20 0.17 0.196 40
R6024KNZ 24 0.15 0.165 47
R6030KNZ 30 0.115 0.13 57
R6035KNZ 35 0.095 0.102 74
TO247 R6020KNZ1 600 20 0.17 0.196 40
R6024KNZ1 24 0.15 0.165 47
R6030KNZ1 30 0.115 0.13 57
R6035KNZ1 35 0.095 0.102 74
R6047KNZ1 47 0.066 0.072 97
R6076KNZ1 76 0.038 0.042 174

Presto MOS / 고속 trr SJ MOSFET : FN 시리즈

인버터 회로에서는 MOSFET / IGBT와 다이오드를 조합하여 사용하는 경우가 많다. 외장 다이오드를 생략하여 부품 수를 삭감하고자 하는 경우와, 다이오드의 효율을 개선하고자 하는 요구에 대응.
・SJ MOSFET 기생 다이오드의 trr 특성 개선

R50xxFNx 시리즈 (500V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on)
Typ.(Ω)
Vgs=10V
Qg
Typ.(nC)
Vgs=10V
trr Typ.
(ns)
TO220FM R5009FNX 500 9 0.65 18 78
R5011FNX 11 0.4 30 85
R5016FNX 16 0.22 45 100
R60xxFNx 시리즈 (600V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on)
Typ.(Ω)
Vgs=10V
Qg
Typ.(nC)
Vgs=10V
trr Typ.
(ns)
LPT
D2-pack
R6008FNJ 600 8 0.73 20 67
R6012FNJ 12 0.39 35 75
TO220FM R6008FNX 600 8 0.73 20 67
R6012FNX 12 0.39 35 75
R6015FNX 15 0.27 42 90
R6020FNX 20 0.2 65 105
TO3PF R6025FNZ 600 25 0.14 85 120
R6046FNZ 46 0.075 150 145
TO247 R6025FNZ1 600 25 0.14 85 120
R6046FNZ1 46 0.075 150 143

Presto MOS / 고속 trr Low Ron SJ MOSFET : MN 시리즈

인버터 회로의 효율 개선을 목표로 하기 항목을 한층 더 개선.
・외장 FRD 불필요
・작은 게이트 용량 Qg
・인버터 등의 효율 개선 가능
・SJ MOSFET 기생 다이오드의 trr 특성 개선

R60xxMNx 시리즈 (600V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on)
Typ.(Ω)
Vgs=10V
Qg
Typ.(nC)
Vgs=10V
trr Typ.
(ns)
TO252
D-pack
R6007MND3 600 7 0.54 10 65
R6010MND3 10 0.27 20 70
TO220FM R6030MNX 600 30 0.11 45 92
TO3PF R6047MNZ 600 47 0.07 75 105
TO247 R6047MNZ1 600 47 0.07 75 105
R6076MNZ1 76 0.04 120 135

대전력 고속 스위칭 Hybrid MOS : GN 시리즈

시장의 에너질 절약 / 고효율 요구가 높아짐에 따라, MOSFET의 스위칭 속도를 유지함과 동시에 더욱 큰 대전력에 대응 가능한 트랜지스터의 요구에 대응.