전원 설계 기술 정보 사이트

기술 자료 다운로드

제품 정보

라인업 및 특징을 선택하여, 간단히 최적의 전원 IC, Si 및 SiC MOSFET, 다이오드 등 관련 제품에 액세스할 수 있습니다.

저소비

BD9Bxxx

MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 고정 온 타임 제어. 자기 소비 35uA. 효율 93%, 경부하 모드 탑재. 고속 과도 응답으로 위상보상 C, R 불필요. fSW=2MHz로 소형 인덕터 사용 가능.

소형

BU9000x

MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. PWM / PFM 전환 제어, 경부하 모드 탑재.
위상보상 C, R 불필요. fSW=6MHz로 소형 인덕터 사용 가능. 소형 UCSP35L1 패키지 (1.3×0.9×0.4mm)

고효율

BD9Bxxx

MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 고정 온 타임 제어. 자기 소비 35uA. 효율 93%, 경부하 모드 탑재. 고속 과도 응답으로 위상보상 C, R 불필요. fSW=2MHz로 소형 인덕터 사용 가능.

BD9Cxxx

MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. Pch high-side로 bootstrap 콘덴서 불필요. 최대 입력전압 18V, 최대 정격 20V.

절연

BD8325FVT

2차측 동기정류 드라이버 탑재 액티브 클램프 방식 PWM 컨트롤러. 전류 모드 절연 타입. 수 10W~700W 클래스의 전원 구축 가능. 1차측 / 2차측 모두 각종 보호회로 탑재.

■ BD9031FV

1ch 절연 / 승압용 스위칭 레귤레이터 컨트롤러. 전류 모드. 35V 내압. 오토모티브 대응.

고속 과도 응답

BD95602MUV

2ch 동기정류 강압 컨트롤러. 초고속 과도 응답 H3Reg 고정 온 타임 제어. 경부하 모드 및 정음 경부하 모드 탑재. LDO×2 내장. 외장 MOSFET는 Nch×2. 입력 최대 정격 30V.

BD9Bxxx

MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 고정 온 타임 제어. 자기 소비 35uA. 효율 93%, 경부하 모드 탑재. 고속 과도 응답으로 위상보상 C, R 불필요. fSW=2MHz로 소형 인덕터 사용 가능.

BD9Dxxx

MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 고정 온 타임 제어. 고속 과도 응답으로 위상보상 C, R 불필요. 최대 입력전압 18V, 최대 정격 20V. 출력에 세라믹 콘덴서 사용 가능.

FET 외장

■ BD9FZ10FV

1ch 동기정류 강압 컨트롤러. 고정 온 타임 제어. 입력 최대 정격 32V.
경부하 모드 탑재. flow 대응 SSOPB16 패키지.

BD95602MUV

2ch 동기정류 강압 컨트롤러. 초고속 과도 응답 H3Reg 고정 온 타임 제어. 경부하 모드 및 정음 경부하 모드 탑재. LDO×2 내장. 외장 MOSFET는 Nch×2. 입력 최대 정격 30V.


3.3V / 5V 입력

출력전류 출력
전압
품명 개요
1A 1V~3.3V BD9A100MUV MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. 자기 소비 250uA. 효율 93%, 경부하 모드 탑재. fSW=1MHz로 소형 인덕터 사용 가능.
BD9B100MUV MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 고정 온 타임 제어. 자기 소비 35uA. 효율 93%, 경부하 모드 탑재. 고속 과도 응답으로 위상보상 C, R 불필요. fSW=2MHz로 소형 인덕터 사용 가능.
2A 1V~2.5V BD9130EFJ MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. 자기 소비 250uA. 효율 90% 이상, 경부하 모드 탑재. fSW=1MHz로 소형 인덕터 사용 가능. Pch high-side.
0.8V~3.3V BD91370MUV MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. 자기 소비 250uA. 경부하 모드 탑재. fSW=1MHz로 소형 인덕터 사용 가능.
3A 1V~3.3V BD9A300MUV MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. 자기 소비 250uA. 효율 93%, 경부하 모드 탑재. fSW=1MHz로 소형 인덕터 사용 가능.
BD9B300MUV MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 고정 온 타임 제어. 자기 소비 35uA. 효율 93%, 경부하 모드 탑재. 고속 과도 응답으로 위상보상 C, R 불필요. fSW=2MHz로 소형 인덕터 사용 가능.
2.5V~3.3V BD9139MUV MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. 경부하 모드 탑재. fSW=1MHz로 소형 인덕터 사용 가능.
4A 1V~3.3V BD9137MUV MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. 경부하 모드 탑재. fSW=1MHz로 소형 인덕터 사용 가능.
BD91361MUV MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. 경부하 모드 탑재. fSW=1MHz로 소형 인덕터 사용 가능.
6A 1V~3.3V BD9A600MUV MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. 자기 소비 250uA. 효율 93%, 경부하 모드 탑재. fSW=1MHz로 소형 인덕터 사용 가능.
BD9B600MUV MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 고정 온 타임 제어. 자기 소비 35uA. 효율 93%, 경부하 모드 탑재. 고속 과도 응답으로 위상보상 C, R 불필요. fSW=2MHz로 소형 인덕터 사용 가능.

12V 입력

출력전류 출력
전압
품명 개요
2A 1V~5V BD95821MUV MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 초고속 과도 응답 H3Reg 고정 온 타임 제어. 위상보상 C, R 불필요. 최대 입력전압 15V.
BD9328EFJ MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. 입력 최대 정격 20V. 출력에 세라믹 콘덴서 사용 가능.
2.5V~5V BD9141MUV MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. 경부하 모드 탑재. 최대 입력전압 13.2V, 최대 정격 15V.
3A 1V~5V BD95831MUV MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 초고속 과도 응답 H3Reg 고정 온 타임 제어. 위상보상 C, R 불필요. 최대 입력전압 15V.
BD9329AEFJ MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. 입력 최대 정격 20V. 출력에 세라믹 콘덴서 사용 가능.
1.2V~5V BD9D320EFJ MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 고정 온 타임 제어. 고속 과도 응답으로 위상보상 C, R 불필요. 입력 최대 정격 20V. 출력에 세라믹 콘덴서 사용 가능.
BD9D321EFJ MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 고정 온 타임 제어. 경부하 모드 탑재. 고속 과도 응답으로 위상보상 C, R 불필요. 입력 최대 정격 20V. 출력에 세라믹 콘덴서 사용 가능.
1.8V~5V BD9C301FJ MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. Pch high-side로 bootstrap 콘덴서 불필요. 최대 입력전압 18V, 최대 정격 20V.
4A 1V~5V BD95841MUV MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 초고속 과도 응답 H3Reg 고정 온 타임 제어. 위상보상 C, R 불필요. 최대 입력전압 15V.
1.8V~5V BD9C401EFJ MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. Pch high-side로 bootstrap 콘덴서 불필요. 최대 입력전압 18V, 최대 정격 20V.
5A 1.8V~5V BD9C501EFJ MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. Pch high-side로 bootstrap 콘덴서 불필요. 최대 입력전압 18V, 최대 정격 20V.
6A 1V~5V BD95861MUV MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 초고속 과도 응답 H3Reg 고정 온 타임 제어. 위상보상 C, R 불필요. 최대 입력전압 18V.
1.8V~5V BD9C601EFJ MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. Pch high-side로 bootstrap 콘덴서 불필요. 최대 입력전압 18V, 최대 정격 20V.

24V 입력

출력전류 출력
전압
품명 개요
1A 3.3V~12V BD9E101FJ MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. fSW=1MHz로 소형 인덕터 사용 가능. 최대 입력전압 36V, 최대 정격 40V.
1.2A 3.3V~12V BD9E151NUX MOSFET 내장 1ch 다이오드 정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. 최대 입력전압 28V, 최대 정격 30V. 세라믹 콘덴서 사용 가능.
2.5A 3.3V~12V BD9E301EFJ MOSFET 내장 1ch 동기정류 강압. 전류 모드 동작, 위상보상이 용이하여 고속 과도 응답. 최대 입력전압 36V, 최대 정격 40V.