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제품 정보

라인업 및 특징을 선택하여, 간단히 최적의 전원 IC, Si 및 SiC MOSFET, 다이오드 등 관련 제품에 액세스할 수 있습니다.

저소비

BM1Pxxx

전류 모드 PWM 컨트롤러. 650V 내압 기동 회로 내장으로 저소비전력. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. 각종 보호 기능 내장. 스위칭 MOSFET 외장.

BM2Pxxx

650V 내압 MOSFET 내장 전류 모드 PWM 컨버터. 650V 내압 기동 회로로 저소비전력. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. 소스 단자 쇼트 / 오픈 보호, AC 입력 보호.

BM1Qxxx

Low EMI 유사공진 (quasi-resonant) 컨트롤러. 650V 내압 기동 회로 내장으로 저소비전력. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. 스위칭 MOSFET 외장. 각종 보호 기능 내장.

소형

■ BD7672AG
BD7673AG

SSOP6 패키지의 절연 / 비절연 모두 대응 전류 모드 PWM 컨트롤러. 경부하 시에는 burst 동작으로 고효율. 각종 보호 기능, 외부 제어 latch 기능 내장. 스위칭 MOSFET 외장.

고효율

BM1Pxxx

전류 모드 PWM 컨트롤러. 650V 내압 기동 회로 내장으로 저소비전력. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. 각종 보호 기능 내장. 스위칭 MOSFET 외장.

BM2Pxxx

650V 내압 MOSFET 내장 전류 모드 PWM 컨버터. 650V 내압 기동 회로로 저소비전력. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. 소스 단자 쇼트 / 오픈 보호. AC 입력 보호.

BM1Qxxx

Low EMI 유사공진 (quasi-resonant) 컨트롤러. 650V 내압 기동 회로 내장으로 저소비전력. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. 스위칭 MOSFET 외장. 각종 보호 기능 내장.

■ BM1Cxxx

PFC 탑재 유사공진 (quasi-resonant) 컨트롤러. 650V 내압 기동 회로 내장으로 저소비전력. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. PFC의 ON / OFF 기능으로 대기전력 삭감. Low EMI.

절연

■ BD7672AG
BD7673AG

절연 / 비절연 모두 대응 전류 모드 PWM 컨트롤러. 경부하 시에는 burst 동작으로 고효율. 각종 보호 기능, 외부 제어 latch 기능 내장. 스위칭 MOSFET 외장. SSOP6 패키지.

■ BD7681FJ

Low EMI 유사공진 (quasi-resonant) 컨트롤러. 외장 스위칭 MOSFET로 높은 설계 자유도. 각종 보호회로 내장.

BM1Pxxx

절연 / 비절연 모두 대응 전류 모드 PWM 컨트롤러. 650V 내압 기동 회로 내장으로 저소비전력. 각종 보호 기능 내장. 외장 스위칭 MOSFET로 높은 설계 자유도.

BM2Pxxx

절연 / 비절연 모두 대응 650V 내압 MOSFET 내장 전류 모드 PWM 컨버터. 650V 내압 기동 회로 내장으로 저소비전력. 소스 단자 오픈 / 쇼트, AC 입력 보호 내장.

BM1Qxxx

Low EMI 유사공진 (quasi-resonant) 컨트롤러. 650V 내압 기동 회로 내장으로 저소비전력. 외장 스위칭 MOSFET로 높은 설계 자유도. 각종 보호 기능 내장.

FET 내장

BM2Pxxx

650V 내압 MOSFET 내장 전류 모드 PWM 컨버터. 절연 / 비절연 모두 대응. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. 소스 단자 오픈 / 쇼트, AC 입력 보호 내장.

FET 외장

■ BD7672AG
BD7673AG

절연 / 비절연 모두 대응 전류 모드 PWM 컨트롤러. 경부하 시에는 burst 동작으로 고효율. 각종 보호 기능, 외부 제어 latch 기능 내장.

■ BD7681FJ

Low EMI 유사공진 (quasi-resonant) 컨트롤러. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. 각종 보호 기능 내장.

BM1Pxxx

절연 / 비절연 모두 대응 전류 모드 PWM 컨트롤러. 650V 내압 기동 회로 내장으로 저소비전력. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. 각종 보호 기능 내장.

BM1Qxxx

Low EMI 유사공진 (quasi-resonant) 컨트롤러. 650V 내압 기동 회로 내장으로 저소비전력. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. 각종 보호 기능 내장.

■ BM1Cxxx

PFC 탑재 유사공진 (quasi-resonant) 컨트롤러. 650V 내압 기동 회로 내장으로 저소비전력. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. 각종 보호 기능 내장. PFC의 ON / OFF 기능으로 대기전력 삭감. Low EMI.

Low EMI

BM1Qxxx

유사공진 (quasi-resonant) 컨트롤러. 소프트 스위칭으로 Low EMI. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. 스위칭 MOSFET 외장. 각종 보호 기능 내장.

■ BM1Cxxx

PFC 탑재 유사공진 (quasi-resonant) 컨트롤러. 소프트 스위칭으로 Low EMI. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. PFC의 ON / OFF 기능으로 대기전력 삭감. 스위칭 MOSFET 외장. 각종 보호 기능 내장.

<25W

BM2Pxxx

650V 내압 MOSFET 내장 전류 모드 PWM 컨버터. 절연 / 비절연 모두 대응. 650V 내압 기동 회로 내장으로 저소비전력. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. 소스 단자 오픈 / 쇼트, AC 입력 보호 내장.

<75W

■ BD7672AG
BD7673AG

소형 SSOP6 패키지의 절연 / 비절연 모두 대응 전류 모드 PWM 컨트롤러. 경부하 시에는 burst 동작으로 고효율. 각종 보호회로, 외부 제어 latch 기능 내장. 스위칭 MOSFET 외장.

BM1Pxxx
BD7673AG

절연 / 비절연 모두 대응 전류 모드 PWM 컨트롤러. 650V 내압 기동 회로 내장으로 저소비전력. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. 각종 보호 기능 내장. 스위칭 MOSFET 외장.

<100W

■ BD7681FJ

유사공진 (quasi-resonant) 컨트롤러. Low EMI. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. 스위칭 MOSFET 외장. 각종 보호 기능 내장.

BM1Qxxx

유사공진 (quasi-resonant) 컨트롤러. Low EMI. 650V 내압 기동 회로 내장으로 저소비전력. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. 스위칭 MOSFET 외장. 각종 보호 기능 내장.

<150W

■ BM1Cxxx

PFC 탑재 유사공진 (quasi-resonant) 컨트롤러. Low EMI. 650V 내압 기동 회로 내장으로 저소비전력. 경부하 시에는 burst / 주파수 저감 동작으로 고효율. PFC의 ON / OFF 기능으로 대기전력 삭감. 스위칭 MOSFET 외장. 각종 보호 기능 내장.