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제품 정보

라인업 및 특징을 선택하여, 간단히 최적의 전원 IC, Si 및 SiC MOSFET, 다이오드 등 관련 제품에 액세스할 수 있습니다.

전원 IC

리니어 레귤레이터

범용 3단자, 저소비전력, 대전류, 고내압 등 약 900개의 제품으로 폭넓은 라인업을 구비하여, 휴대전화, 자동차기기, 가전, 민생기기, 산업기기 등 다양한 전원 회로에 대응.

스위칭 레귤레이터

FET 내장 타입 (강압 타입 / 승압 타입 / 승강압 타입), FET 외장 타입 (강압 타입 / 승압 타입 / 승강압 타입), 1ch 타입, 시스템 전원 타입 등, 풍부한 DC/DC 컨버터 라인업. CPU 및 FPGA용 전원, 휴대기기, 자동차기기, 민생기기, 산업기기 등의 고효율화 촉진.

절연형 전원 (AC/DC, DC/DC)

AC/DC 컨버터의 고효율화와 소형화를 실현하는 FET 내장 타입과 컨트롤러 타입 라인업. 경부하 시의 소비전력 삭감과 다양한 보호회로, Low Noise화 기능 내장.

파워 디바이스

Si 쇼트키 배리어 다이오드

Low VF, Low IR, 높은 ESD 강도를 실현한 파워 쇼트키 다이오드 라인업. 저손실과 고신뢰성 특징으로, 배터리 제어, 전원, EV / HV를 포함한 자동차기기 등에 최적.

  • ■ RBxx1 시리즈 (Low VF)
  • ■ RBE 시리즈 (NEW 초저 VF)
  • ■ RBxx5 시리즈 (Low VF)
  • ■ RBxx0 시리즈 (Low VF)
  • ■ RBR 시리즈 (NEW Low VF)
  • ■ RBQ 시리즈 (NEW Low IR)
  • ■ RBxx7 시리즈 (NEW Low IR)
  • ■ RBxx8 시리즈 (NEW 초저 IR)

Si 패스트 리커버리 다이오드

스위칭 전원의 대폭적인 고효율화, 저손실화를 위한 패스트 리커버리 다이오드. 조명, 에어컨, LCD-TV, 산업용 모듈 등의 PFC (역률 개선) 어플리케이션에서 DCM (연속 모드) 및 BCM (임계 모드)에 최적인 특성 실현.

  • ■ RFNL 시리즈 (초저 VF)
  • ■ RFN 시리즈 (범용 표준 타입)
  • ■ RFUH 시리즈 (고속 trr)
  • ■ RFV 시리즈 (고속 trr)

Si MOSFET

독자적인 SJ (Super Junction) MOSFET로 고속 스위칭 및 우수한 저 ON 저항 특성을 통해 폭넓은 어플리케이션에 대응하는 라인업 구비. 오토모티브 대응 제품은 AEC-Q101에 준거.

【표준 SJ MOSFET AN 시리즈】

  • ■ R50xxANx (500V)
  • ■ R52xxANx 시리즈 (520V)
  • ■ R60xxANx 시리즈 (600V)
  • ■ R80xxANx 시리즈 (800V)

【Low Noise SJ MOSFET EN 시리즈】

  • ■ R60xxENx 시리즈 (600V)
  • ■ R65xxENx 시리즈 (650V)

【고속 SJ MOSFET KN 시리즈】

  • ■ R60xxKN 시리즈 (600V)

【Presto MOS / 고속 trr SJ MOSFET FN 시리즈】

  • ■ R50xxFNx 시리즈 (500V)
  • ■ R60xxFNx 시리즈 (600V)

【Presto MOS / 고속 trr Low Ron SJ MOSFET MN 시리즈】

  • ■ R60xxMNx 시리즈 (600V)

【Hybrid MOS GN 시리즈】

SiC 쇼트키 배리어 다이오드

SiC는 Si 반도체보다 소형화, 저소비전력화, 고효율화가 가능한 파워 소자 실현 가능. 스위칭 손실의 저감 및 고온 환경 하에서 동작 특성이 우수한 차세대 저손실 소자. SiC 쇼트키 배리어 다이오드는 스위칭 손실을 저감할 수 있어, 고속 스위칭 가능. 고속 스위칭 전원의 PFC 회로에서 높은 실적 보유.

SiC MOSFET

SiC는 Si 반도체보다 소형화, 저소비전력화, 고효율화가 가능한 파워 소자 실현 가능. 스위칭 손실의 저감 및 고온 환경 하에서 동작 특성이 우수한 차세대 저손실 소자. SiC MOSFET는 스위칭 동작 시의 tail 전류가 원리적으로 없으므로, 고속 동작하여 스위칭 손실 저감 가능. 작은 칩 사이즈로 저 ON 저항을 달성할 수 있어, 저용량, 낮은 게이트 차지 실현.

SiC 파워 모듈

SiC는 Si 반도체보다 소형화, 저소비전력화, 고효율화가 가능한 파워 소자 실현 가능. 스위칭 손실의 저감 및 고온 환경 하에서 동작 특성이 우수한 차세대 저손실 소자. SiC 파워 모듈은 IGBT 모듈에 비해 대폭적인 손실 저감 가능. 스위칭 손실이 작아, 높은 스위칭 주파수에서 특히 유리함.

 

SiC 쇼트키 배리어 다이오드 Bare Die

SiC 쇼트키 배리어 다이오드는 스위칭 손실을 저감할 수 있어, 고속 스위칭 가능. 고속 스위칭 전원의 PFC 회로에서 높은 실적 보유.

 

SiC MOSFET Bare Die

SiC MOSFET는 스위칭 동작 시의 tail 전류가 원리적으로 없으므로, 고속 동작하여 스위칭 손실 저감 가능. 작은 칩 사이즈로 저 ON 저항을 달성할 수 있어, 저용량, 낮은 게이트 차지 실현.

IGBT:Field Stop Trench IGBT

IGBT (절연 게이트 바이폴라 트랜지스터)는 폭넓은 고전압 · 대전류 어플리케이션의 고효율화와 에너지 절약화 어플리케이션에 최적. 독자적인 trench 게이트와 박막 웨이퍼 기술로 Low VCE (sat), 낮은 스위칭 손실 실현.

IGBT:Ignition IGBT

IGBT (절연 게이트 바이폴라 트랜지스터)는 폭넓은 고전압 · 대전류 어플리케이션의 고효율화와 에너지 절약화 어플리케이션에 최적. Low VCE (sat), High Avalanche 내성을 동시에 실현하였으며, 고신뢰성으로 차량 이그니션 용도에 최적.

IGBT-IPM

IGBT-IPM (Intelligent Power Module)은 IGBT와 최적의 구동 회로, 보호 기능을 1패키지화 한 모듈. 기기의 고효율화, 설계 간략화 가능. 어플리케이션의 스위칭 주파수에 따라 최적의 제품 선택 가능.

MOS-IPM

MOS-IPM (Intelligent Power Module)은 독자적인 PrestoMOS를 사용한 고효율 모듈 제품. IGBT 제품에 비해 에어컨 어플리케이션에서 정상 운전 시의 손실 대폭 저감 가능.