お役立ち情報が満載 モータドライバ設計のための技術情報サイト

TECH INFO

知って得するキーポイント

モータドライブに適したパワーデバイス

非絶縁ゲートドライバおよびパワーデバイス

ロームには、モータドライバICに加えて、モータドライブに適した非絶縁ゲートドライバと、ディスクリートのパワーデバイスとしてIGBTとパワーMOSFETが用意されています。

ラッチアップフリーSOIプロセスを採用した高信頼性非絶縁ゲートドライバ

ロームの非絶縁ゲートドライバは、ブートストラップ方式を用いたハイサイド/ローサイドゲートドライバです。ラッチアップフリーSOIプロセスを採用したことにより高信頼性を実現しています。ラッチアップが生じると大電流が流れ、ICやパワーデバイスが破壊に至ることがあります。ラッチアップ耐量は素子レイアウトや製造プロセスにより向上させることが可能で、ロームのSOI(Silicon On Insulator)プロセスは、SOI基板による完全誘電体分離法により高耐圧化を成し構造的にラッチアップを起こしません。

ラッチアップフリーSOIプロセスと従来プロセスの比較(クロスセクション)

逆回復時間を高速化したスーパージャンクションMOSFET:PrestoMOSTM

PrestoMOSTMは、従来のスーパージャンクションMOSFETの課題である内部寄生ダイオードの逆回復時間trr特性を高速化し、損失を低減したスーパージャンクションMOSFETです。

内部寄生ダイオードの逆回復時間trr特性を高速化し、損失を低減したスーパージャンクションMOSFET「PrestoMOSTM」

PrestoMOSTMはIGBTとの比較において、低~中電力領域においては損失電圧が小さいことから損失を低減できます(下記左のグラフ参照)。また、モータドライブ回路などで一般のMOSFETやIGBTの回生電流による転流損失を低減するために外付けするファストリカバリダイオード(FRD)を使わずに、高速化された内部寄生ダイオードを利用できます。FRDに比べてPrestoMOSTMの寄生ダイオードはVFが低いので低損失です。

PrestoMOSとIGBTおよびファストリカバリダイオードの損失の比較