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知って得するキーポイント

600V SJ-MOSFET:R60xxJNxシリーズ

業界最速の逆回復時間、設計の
自由度を向上する「PrestoMOS™」

注目ワード
  • PrestoMOSTM
  • R60xxJNxシリーズ
  • 30機種
  • 業界最速の逆回復時間(trr)
  • セルフターンオン現象が起きない
  • 誤動作につながるノイズを低減
  • 定常運転時の低消費電力化という課題
  • ゲート電圧の持ち上がりを20%削減
  • MOSFETオンのしきい値(Vth)を約1.5倍に
  • ソフトリカバリ指数を30%改善
  • ノイズの最適化が容易

ローム独自のライフタイム制御技術を用い、業界最速*の逆回復時間(trr)を実現したローム独自のスーパージャンクションMOSFETであるPrestoMOSTMは、エアコンやインバータアプリケーションの定常運転時の低消費電力化に寄与することから、すでにIGBTの代替として高い評価を得ています。*2019年3月15日 ローム調べ

今回、従来のラインアップに対して、新開発の「R60xxJNxシリーズ」、30機種を追加しました。特長は、以下の通りです。

  • 業界最速の逆回復時間(trr)を実現。IGBTと比べ、軽負荷時の電力損失を約58%低減。
  • ・損失増加の一因であるセルフターンオン現象が起きない設計。
  • ・ボディダイオードの特性を最適化し、ソフトリカバリ指数を改善。誤動作につながるノイズを低減

これらの特長により、アプリケーションでの損失を低減するとともに、回路の最適化が容易になり、設計の自由度が向上します。

業界最速の逆回復時間(trr)を実現。IGBTと比べ、軽負荷時の電力損失を約58%低減

エアコンや冷蔵庫をはじめ、白物家電のモータ駆動用にはインバータ回路が使用され、従来スイッチング素子にはIGBTが使用されています。しかしながら、近年の省エネ要求の一環で、定常運転時の低消費電力化が課題になっています。ロームでは、2012年に初めて業界最速の逆回復特性が特長のパワーMOSFETであるPrestoMOSTMを市場に投入し、定常運転時の低消費電力化という課題に対して、非常に高い評価を得ています。

PrestoMOSTMはIGBTと比べ軽負荷時の電力損失を約58%低減

損失増加の一因であるセルフターンオン現象が起きない設計

MOSFETに構造上存在する寄生容量を最適化したことで、スイッチング時のゲート電圧の持ち上がりを20%削減しました。また、MOSFETオンのしきい値(Vth)を約1.5倍に高めており、セルフターンオン現象が起きにくい設計になっています。損失の一因であるゲート抵抗値を最適化して損失を低減可能です。

失増加の一因であるセルフターンオン現象が起きない設計

リカバリ特性を改善して誤動作につながるノイズを低減

一般的に、SJ-MOSFETのボディダイオードのリカバリ特性はハードリカバリになります。R60xxJNxシリーズは、構造を最適化することにより、従来品に比べソフトリカバリ指数を30%改善し、業界最速の逆回復時間(trr)を維持したまま、ノイズを低減させることに成功しました。これにより、設計時のゲート抵抗等によるノイズの最適化が容易になります。

リカバリ特性を改善して誤動作につながるノイズを低減

以下に、R60xxJNxシリーズのラインアップを示します。

Package
  TO-252
(DPAK)
[SC-63]
TO-263
(LPT(S) D2PAK)
[SC-83]
TO-220FM TO-247
Ron typ
(mΩ)
1100 R6004JND3 R6004JNJ R6004JNX  
720 R6006JND3 R6006JNJ ☆R6006JNX  
600 R6007JND3 R6007JNJ R6007JNX  
450 R6009JND3 R6009JNJ R6009JNX  
350   R6012JNJ ☆R6012JNX  
220   R6018JNJ R6018JNX  
180   R6020JNJ R6020JNX R6020JNZ4
140     R6025JNX R6025JNZ4
110     ☆R6030JNX R6030JNZ4
90       R6042JNZ4
64       ☆R6050JNZ4
45       ☆R6070JNZ4

☆開発中

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