車載信頼性規格AEC-Q101準拠のSiC MOSFET：業界最多ラインアップ、車載用SiC MOSFET 10機種を追加

ロームは、xEV車載充電器やDC-DCコンバータ向けに車載信頼性規格AEC-Q101に準拠したSiC MOSFET、「SCT3xxxxxHRシリーズ」に計10機種を新たに追加し、ラインアップを業界最多*の13機種としました。　*2019年3月5日現在 ローム調べ

xEVの航続距離延長のために車載充電器には高出力・高効率が求められている

近年、自動車のxEV（電動車の総称）化が急速に進んでいます。その中で電気自動車（EV）は普及が進んでいるものの、航続距離の短さが課題の1つとなっています。航続距離を延ばすために、搭載バッテリの容量は増加傾向にあり、それにともない充電時間の短縮も求められています。そのために、例えば11kW、22kWといったより高出力で高効率な車載充電器が必要とされ、SiC MOSFETが採用されるケースが増えています。また、欧州を中心に搭載バッテリの高電圧化（800V）の流れもあり、より高耐圧かつ低損失のパワーデバイスが必要とされています。

こうした市場ニーズを踏まえ、ロームは車載信頼性規格AEC-Q101に準拠した製品ラインアップの拡充を図っています。今回、新たに追加した10機種は、ロームでは第三世代となるトレンチゲート構造を採用したSiC MOSFETです。第三世代SiC MOSFETは、第二世代プレーナ型SiC-MOSFETに比べ、オン抵抗を約50%、入力容量を約35%低減しています。これらの追加により、現在のAEC-Q101準拠ディスクリート製品のラインアップは、SiC SBD（ショットキーバリアダイオード）とSiC MOSFET合わせて34機種、業界トップとなっています。以下は、AEC-Q101準拠SiC MOSFETの全ラインアップです。個別の仕様確認には品名のリンクを利用願います。

＜車載用AEC-Q101準拠SiC MOSFETラインアップ＞

共通仕様：動作温度範囲-55℃～+175℃、TO-247Nパッケージ、AEC-Q101準拠

世代 （ゲート構造）	品名	VDS (V)	オン抵抗(typ.) (mΩ)	ID (A)	PD (W)
第3世代 （トレンチゲート構造）	SCT3017ALHR	650	17	118	427
	SCT3022ALHR		22	93	339
	SCT3030ALHR		30	70	262
	SCT3060ALHR		60	39	165
	SCT3080ALHR		80	30	134
	SCT3120ALHR		120	21	103
	SCT3022KLHR	1200	22	95	427
	SCT3030KLHR		30	72	339
	SCT3040KLHR		40	55	262
	SCT3080KLHR		80	31	165
	SCT3105KLHR		105	24	134
	SCT3160KLHR		160	17	103
第2世代 （プレーナゲート構造）	SCT2080KEHR	1200	80	40	262

業界をリードするSiCパワーデバイスの開発と生産体制

ロームは2010年に世界で初めてSiC MOSFETの量産化に成功するなど、SiCパワーデバイスにおいて常に業界をリードする製品開発と量産体制を構築しています。需要が拡大する車載市場に対してはAEC-Q101対応など車載品質・信頼性を早期に確立し、2012年から車載充電器向けにSiC SBDを、2017年からは車載充電器やDC-DCコンバータ向けにSiC MOSFETの供給を行っています。

また、ロームでは品質第一の理念のもと、開発から製造までを一貫してグループ内で行う「垂直統合」システムを採用しています。SiCパワーデバイスにおいても、ウエハからパッケージングに至るまで自社一貫生産体制を構築し、高品質と高信頼性を実現しています。

今後も、車載用SiCパワーデバイスのラインアップは拡充が図られます。