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車載信頼性規格AEC-Q101準拠のSiC MOSFET

業界最多ラインアップ、
車載用SiC MOSFET 10機種を追加

注目ワード
  • 車載信頼性規格AEC-Q101に準拠したSiC MOSFET
  • 「SCT3xxxxxHRシリーズ
  • 高出力で高効率な車載充電器
  • 航続距離の短さ
  • 垂直統合
  • 自社一貫生産体制

ロームは、xEV車載充電器やDC/DCコンバータ向けに車載信頼性規格AEC-Q101に準拠したSiC MOSFET、「SCT3xxxxxHRシリーズ」に計10機種を新たに追加し、ラインアップを業界最多*の13機種としました。 *2019年3月5日現在 ローム調べ

xEVの航続距離延長のために車載充電器には高出力・高効率が求められている

近年、自動車のxEV(電動車の総称)化が急速に進んでいます。その中で電気自動車(EV)は普及が進んでいるものの、航続距離の短さが課題の1つとなっています。航続距離を延ばすために、搭載バッテリの容量は増加傾向にあり、それにともない充電時間の短縮も求められています。そのために、例えば11kW、22kWといったより高出力で高効率な車載充電器が必要とされ、SiC MOSFETが採用されるケースが増えています。また、欧州を中心に搭載バッテリの高電圧化(800V)の流れもあり、より高耐圧かつ低損失のパワーデバイスが必要とされています。

xEVでは、車載充電器やDC/DCコンバータなどの高出力、高効率か求められている

こうした市場ニーズを踏まえ、ロームは車載信頼性規格AEC-Q101に準拠した製品ラインアップの拡充を図っています。今回、新たに追加した10機種は、ロームでは第三世代となるトレンチゲート構造を採用したSiC MOSFETです。第三世代SiC MOSFETは、第二世代プレーナ型SiC-MOSFETに比べ、オン抵抗を約50%、入力容量を約35%低減しています。これらの追加により、現在のAEC-Q101準拠ディスクリート製品のラインアップは、SiC SBD(ショットキーバリアダイオード)とSiC MOSFET合わせて34機種、業界トップとなっています。以下は、AEC-Q101準拠SiC MOSFETの全ラインアップです。個別の仕様確認には品名のリンクを利用願います。

<車載用AEC-Q101準拠SiC MOSFETラインアップ>

共通仕様:動作温度範囲-55℃~+175℃、TO-247Nパッケージ、AEC-Q101準拠

世代
(ゲート構造)
品名 VDS
(V)
オン抵抗(typ.)
(mΩ)
ID
(A)
PD
(W)
第3世代
(トレンチゲート構造)

SCT3017ALHR
650 17 118 427

SCT3022ALHR
22 93 339
SCT3030ALHR 30 70 262

SCT3060ALHR
60 39 165

SCT3080ALHR
80 30 134

SCT3120ALHR
120 21 103

SCT3022KLHR
1200 22 95 427

SCT3030KLHR
30 72 339

SCT3040KLHR
40 55 262

SCT3080KLHR
80 31 165

SCT3105KLHR
105 24 134

SCT3160KLHR
160 17 103
第2世代
(プレーナゲート構造)
SCT2080KEHR 1200 80 40 262

業界をリードするSiCパワーデバイスの開発と生産体制

ロームは2010年に世界で初めてSiC MOSFETの量産化に成功するなど、SiCパワーデバイスにおいて常に業界をリードする製品開発と量産体制を構築しています。需要が拡大する車載市場に対してはAEC-Q101対応など車載品質・信頼性を早期に確立し、2012年から車載充電器向けにSiC SBDを、2017年からは車載充電器やDC/DCコンバータ向けにSiC MOSFETの供給を行っています。

業界をリードするロームのSiCパワーデバイスの開発の歴史

また、ロームでは品質第一の理念のもと、開発から製造までを一貫してグループ内で行う「垂直統合」システムを採用しています。SiCパワーデバイスにおいても、ウエハからパッケージングに至るまで自社一貫生産体制を構築し、高品質と高信頼性を実現しています。

業界をリードするロームのSiCパワーデバイス垂直統合型生産体制

今後も、車載用SiCパワーデバイスのラインアップは拡充が図られます。

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