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業界最速trr「PrestoMOS™」の新ラインアップ「R60xxMNxシリーズ」

オン抵抗とQgを削減し、
さらなる低消費電力化が可能に

注目ワード
  • PrestoMOS
  • R60xxMNxシリーズ
  • Qg
  • ゲート総電荷量
  • オン抵抗
  • スイッチング損失
  • 導通損失
  • スーパージャンクションMOSFET
  • trr
  • 逆回復時間
  • APF
  • 通年エネルギー消費効率
  • インバータ回路
  • モータドライバ回路
  • 回生電流
  • 転流損失
  • FRD
  • ファストリカバリダイオード
  • IGBT

ロームは、業界最速のtrr(逆回復時間)を特長とするPrestoMOSTMに、新ラインアップとなる「R60xxMNxシリーズ」を追加しました。PrestMOSは、標準のスーパージャンクションMOSFETに対しtrrを約60%削減したことで大幅にスイッチング損失を低減し、白物家電や産業機器などのモータドライバやインバータアプリケーションの低消費電力化を推進してきました。新しいR60xxMNxシリーズは、既存のR60xxFNxシリーズの高速trr性能をそのままに、オン抵抗Qg(ゲート総電荷量)をさらに低減し損失低減を図る目的で開発されました。一般に、オン抵抗とQgはトレードオフの関係にありますが、ロームの独自のプロセス技術と最適化技術により、高次元での両立を達成しました。

※PrestoMOSは、ロームの商標です。

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スイッチング損失に加え導通損失も削減

R60xxMNxシリーズは、ローム独自のPrestoMOSの高速trr性能を維持したまま、オン抵抗とQgを大幅に低減しました。インバータ搭載エアコンなどモータ駆動のアプリケーションの例では、IGBTを使用した場合と比較して軽負荷時の電力損失を約56%低減することができました。これは近年のAPF(通年エネルギー消費効率)の改善に非常に効果的です。高速trrによるスイッチング損失低減に加え、オン抵抗低減による導通損失削減、そしてQg低減によるドライブ電流削減および高速性の向上によるものです。

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インバータやモータドライバ回路のFRDが不要に

trrは前述のように、従来の標準タイプスーパージャンクションMOSFETに比べ60%削減されています。これは、内部ダイオードのtrr特性を大きく改善したことによります。特にインバータ回路やモータドライバ回路の回生電流による転流損失はtrrに依存します。通常のMOSFETやIGBTでは、内部ダイオードのtrrが遅く損失が大きくなるので、FRD(ファストリカバリダイオード)を2個外付けにします。PrestoMOSはtrrが速いので損失を低減するのはもちろん、外付け2個のFRDが不要になります。

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R60xxMNxシリーズ

パッケージ 用途 品名 極性
(ch)
VDSS
(V)
ID
(A)
PD(W)
(Tc=25°C)
RDS(on)(Ω) Qg Typ.
(nC)
trr
(Typ.)
(ns)
駆動
電圧
(V)
VGS=10V
Typ. Max VGS=10V
TO-252 スイッチング R6010MND3 N 600 10 143 0.28 0.38 20 80 10
R6008MND3 600 8 115 0.45 0.61 13.5 65
R6007MND3 600 7 95 0.54 0.73 10 60
TO-220FM R6030MNX 600 30 90 0.11 0.15 45 90
☆R6020MNX 600 20 72 0.19 0.25 30 85
TO-247 R6076MNZ1 600 76 740 0.04 0.055 115 135
R6047MNZ1 600 47 440 0.06 0.081 70 105

☆:開発中

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