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自社製SiC-MOSFETとSiC-SBDによる「フルSiC」パワーモジュール

第3世代SiC-MOSFETを採用、
ラインアップを拡充

注目ワード
  • フルSiCパワーモジュール
  • 第3世代SiC-MOSFET
  • SiC-SBD
  • スイッチング損失
  • 高効率
  • 小型化
  • ラインアップ

ロームは、世界に先駆けて、自社製のSiC-MOSFETとSiC-SBDを使用した「フルSiC」パワーモジュールを量産しています。従来のSi-IGBTパワーモジュールに比べて、高速スイッチングと大幅な損失低減が可能です。最新のモジュールには、第3世代SiC-MOSFETを採用し、さらなる低損失を実現しています。

第3世代SiC-MOSFETを採用し、さらに損失を低減

フルSiCパワーモジュールを構成するSiC-MOSFETは進化を続けており、次世代品の位置付けであるトレンチ構造採用した第3世代がリリースされています。これにともない、SiCモジュールにも第3世代SiC-MOSFETを使用したバージョンが開発されました。

BSM180D12P3C007」は、第3世代SiC-MOSFETを使用したことにより、低オン抵抗化と大電流化を推進した、1200V/180A、Ron 10mΩ(typ)の、SiC-SBD内蔵タイプのフルSiCパワーモジュールです。以下は、既存品との関係を示した図です。

3G

BSM180D12P3C007は、スイッチング損失をIGBTモジュールから大幅に削減し、既存のIGBTモジュールからも42%削減しています。これによって、アプリケーションのさらなる高効率化と小型化が望めます。

3Geffi

フルSiCパワーモジュールのラインアップを拡充

下の表は、現状のフルSiCパワーモジュールのラインアップです。このBSM180D12P3C007に加え、第2世代SiC-MOSFETを使用したラインアップにも新製品が追加されています。今後も、ラインアップの拡充を継続して行きます。

品名 絶対最大定格(Tj=25°C) RDS
(ON)
(mΩ)
パッケ
ージ
サーミ
スタ
内部回路図
VDS
(V)
ID
(A)
(Tc=
60°C)
Tj
(°C)
Tstg
(°C)
Visol
(V)
(AC1min.)
NEW
BSM080D12P2C008
(2G. DMOS)
1200 80 -40 to
+175
-40 to
+125
2500 34 C
type
なし 161115_img_01
BSM120D12P2C005
(2G. DMOS)
120 20
NEW
BSM180D12P3C007
(3G.UMOS)
180 10
NEW
BSM120C12P2C201
(2G.DMOS)
120 20 161115_img_02
NEW
BSM180D12P2E002
(2G.DMOS)
180 10 E
type
あり 161115_img_03
BSM300D12P2E001
(2G. DMOS)
300 7.3

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