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SCT2H12NZ:1700V高耐圧SiC-MOSFET

産業機器の補助電源用途に
求められる高耐圧と低損失を実現

注目ワード
  • SiC-MOSFET
  • 1700V
  • 産業機器
  • 補助電源
  • オン抵抗
  • 発熱
  • ヒートシンク
  • 小型化

ロームは、パワーデバイスの開発に注力しています。先ごろ発表され、すでに量産に入っている「SCT2H12NZ」は、1700Vという高耐圧を実現したSiC-MOSFETです。既存の650Vと1200Vのラインアップにさらなる高耐圧バージョンが追加になりました。1700Vという高耐圧でありながら、SiCの特性を活かしてオン抵抗を大幅に低減したMOSFETになります。また、SiC-MOSFET用のフライバックコンバータ制御ICとの組み合わせにより、効率も大きく改善可能です。ロームは、最新鋭のパワーデバイスに加えて、その性能を十分に発揮させる制御デバイスの開発も促進しています。

産業機器補助電源の課題は発熱の低減

インバータなど高電圧の産業機器には、モーターなどを駆動するメイン電源だけでなく、コントローラや他のシステム駆動用の補助電源を併せ持っています。特に産業機器で用いられる場合は入力電圧が高く、補助電源には耐圧1000V以上のSi-MOSFETが広く使われていることが多いです。

しかしながら、1000Vを超えるような高耐圧のSi-MOSFETはオン抵抗が大きく、導通損失による発熱への対処が必須です。

SCT2H12NZは、こういった産業機器補助電源の課題を解決すべく開発されました。

産業機器補助電源の課題は発熱の低減

Si-MOSFETに対してオン抵抗を1/8に削減

産業機器の補機電源に多く用いられている1500V耐圧のSi-MOSFETとの比較例を示します。SiC-MOSFETのSCT2H12NZは1700Vというさらなる高耐圧を達成しながら、オン抵抗はSi-MOSFETの9Ωに対して1/8の1.15Ωを実現しています。これによって、大幅な損失削減、つまり発熱を大幅に低減することでき、条件によってはヒートシンクの小型化が可能になります。

また、パッケージにTO-3PFMを採用することで、産業機器に要求される絶縁に対応する沿面距離を確保しています。同様に必要な沿面距離を確保した表面実装TO-268-2Lパッケージ品も開発中です。表面実装パッケージにより、自動実装機による組み立てが可能になります。

以下が今回開発した製品ラインアップになります。

オン抵抗比較

heatsink

1700V SiC-MOSFETラインアップ

品名 パッケージ 極性 VDSS ID PD
(Tc=25℃)
RDS(ON)
VGS=18V
Qg
VGS=18V
☆SCT2H12NY TO-268-2L Nch 1700V 4A 44W 1.15Ω
(Typ.)
14nC
(Typ.)
☆SCT2750NY 5.9A 57W 0.75Ω
(Typ.)
17nC
(Typ.)

☆:開発中

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