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ラインアップツリーや特長から、簡単に最適な電源ICや、SiおよびSiCのMOSFET、ダイオード他、関連製品にアクセスできます。

Siショットキーバリアダイオード

Siファストリカバリダイオード

Si MOSFET

Siショットキーバリアダイオード

超低VF

RBxx1シリーズ
RB161MM-20 RB051MM-2Y RB051L-40

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RBEシリーズ
RBE05AS20A RBE05SM20A RBE2VAM20A

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低VF

RBxx5シリーズ
RB055L-30 RB055L-40 RB055L-60

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RBxx0シリーズ
RB160VAM-40 RB160MM-40 RB160L-40

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RBRシリーズ
RBR3MM40A RBR5L40A ■ RBR20BM40A

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低IR

RBQシリーズ
■ RBQ20BM45A RBQ30NS45A RBQ30T45A

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RBxx7シリーズ(NEW 低IR
■ RB087BM-40 ■ RB227NS-60 ■ RB227T100

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超低IR

RBxx8シリーズ
RB088BM-40 RB238NS-40 RB238T-40

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Siファストリカバリダイオード

超低VF

RFNLシリーズ
RFNL5BM6S RFNL10TJ6S RFNL20TJ6S

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汎用標準タイプ

RFNシリーズ
RFN20TJ6S RFN30TS6S RFN60TS6D

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高速trr

RFUHシリーズ
RFUH20TJ6S RFUH30TS6D RFUH60TS6D

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RFVシリーズ
RFV8TJ6S RFV15TJ6S RFV15TG6S

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Si MOSFET

標準SJ MOSFET ANシリーズ

プレーナーMOSFETより大幅にオン抵抗とゲート電荷(Qg)を低減

R50xxANxシリーズ(500V)
Part No. Package VDSS[V] ID[A] RDS(on)[Ω]
at 10V Typ.
R5021ANX TO220FM 500 21 0.16
R5019ANX 19 0.18
R5016ANX 16 0.21
R5013ANX 13 0.29
R5011ANX 11 0.38
R5009ANX 9 0.55
R5007ANX 7 0.75
R5005CNX 6 0.9
R5021ANJ LPTS 21 0.16
R5016ANJ 16 0.21
R5013ANJ 13 0.29
R5011ANJ 11 0.38
R5009ANJ 9 0.55
R5007ANJ 7 0.78
R5005CNJ 5 1.2
SP8K80 SOP8 (Dual) 0.5 9

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R50xxANxシリーズ(520V)
Part No. Package VDSS[V] ID[A] RDS(on)[Ω]
at 10V Typ.
R5207AND CPT3 525 7 0.78
R5205CND 5 1.2

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R60xxANxシリーズ(600V)
Part No. Package VDSS[V] ID[A] RDS(on)[Ω]
at 10V Typ.
R6046ANZ TO247 600 46 0.069
R6046ANZ TO3PF 46 0.065
R6025ANZ 25 0.12
R6020ANZ 20 0.17
R6015ANZ 15 0.23
R6020ANX TO220FM 20 0.17
R6015ANX 15 0.23
R6012ANX 12 0.32
R6010ANX 10 0.43
R6008ANX 8 0.6
R6006ANX 6 0.85
R6020ANJ LPTS 20 0.19
R6015ANJ 15 0.23
R6012ANJ 12 0.32
R6010ANJ 10 0.43
R6008ANJ 8 0.6
R6006AND CPT3 6 0.9
R6004CND 4 1.4

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R80xxANxシリーズ(800V)
Part No. PKG VDSS (V) ID (A) RDS(on) Typ.(Ω)
Vgs=10V
Qg
Typ.(nC) 
Vgs=10V
R8001CND CPT3
D-pack
800 1 6.7 7.2
R8002CND 2 3.3 12.7
R8005AND3 TO252
D-pack
800 5 1.6 21
R8007AND3 7 1.05 28
R8002ANJ LPT
D2-pack
800 2 3.3 12.7
R8005ANJ 5 1.6 21
R8008ANJ 8 0.79 39
R8002ANX TO220FM 800 2 3.3 12.7
R8005ANX 5 1.6 21
R8008ANX 8 0.79 39
R8010ANX 10 0.43 62
R8012ANZ1 TO247 800 12 0.35 78
R8016ANZ1 16 0.23 115

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低ノイズSJ MOSFET ENシリーズ

SJ MOSFETはオン抵抗が低く、スイッチングスピードが速いが、その高速性のためにノイズが大きい点を改善。
・プレーナーMOSの低ノイズ特性とSJ MOSの低オン抵抗特性を組み合わせたタイプ
・プレーナーMOSを低オン抵抗で代替

R60xxENxシリーズ(600V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on) (Ω) Vgs=10V Qg (nC)
Vgs=10V
Typ.
Typ. MAX
CPT
3D-pak
R6002END 600 1.7 2.8 3.4 6.5
R6004END 4 0.9 0.98 15
TO252E
D-pak
R6007END3 600 7 0.57 0.62 20
R6009END3 9 0.5 0.535 23
R6011END3 11 0.34 0.39 32
LPT
D2-pak
R6004ENJ 600 4 0.9 0.98 15
R6007ENJ 7 0.57 0.62 20
R6009ENJ 9 0.5 0.535 23
R6011ENJ 11 0.34 0.39 32
R6015ENJ 15 0.26 0.29 40
R6020ENJ 20 0.17 0.196 60
R6024ENJ 24 0.15 0.165 70
TO220FM R6004ENX 600 4 0.9 0.98 15
R6007ENX 7 0.57 0.62 20
R6009ENX 9 0.5 0.535 23
R6011ENX 11 0.34 0.39 32
R6015ENX 15 0.26 0.29 40
R6020ENX 20 0.17 0.196 60
R6024ENX 24 0.15 0.165 70
R6030ENX 30 0.115 0.13 85
TO3PF R6015ENZ 600 15 0.26 0.29 40
R6020ENZ 20 0.17 0.196 60
R6024ENZ 24 0.15 0.165 70
R6030ENZ 30 0.115 0.13 85
R6035ENZ 35 0.095 0.102 110
TO247 R6020ENZ1 600 20 0.17 0.196 60
R6024ENZ1 24 0.15 0.165 70
R6030ENZ1 30 0.115 0.13 85
R6035ENZ1 35 0.095 0.102 110
R6047ENZ1 47 0.066 0.072 145
R6076ENZ1 76 0.038 0.042 260

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R65xxENxシリーズ(650V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on) (Ω) Vgs=10V Qg (nC)
Vgs=10V
Typ.
Typ. MAX
CPT3
D-pak
R6502END 650 1.7 3.1 3.57 6.5
R6504END 4 0.99 1.14 15
TO252E
D-pak
R6507END3 650 7 0.63 0.725 20
R6509END3 9 0.55 0.64 23
R6511END3 11 0.375 0.435 32
LPT
D2-pak
R6504ENJ 650 4 0.99 1.14 15
R6507ENJ 7 0.63 0.725 20
R6509ENJ 9 0.55 0.64 23
R6511ENJ 11 0.375 0.435 32
R6515ENJ 15 0.29 0.335 40
R6520ENJ 20 0.19 0.22 60
R6524ENJ 24 0.165 0.19 70
TO220FM R6504ENX 650 4 0.99 1.14 15
R6507ENX 7 0.63 0.725 20
R6509ENX 9 0.55 0.64 23
R6511ENX 11 0.375 0.435 32
R6515ENX 15 0.29 0.335 40
R6520ENX 20 0.19 0.22 60
R6524ENX 24 0.165 0.19 70
R6530ENX 30 0.13 0.15 85
TO3PF R6515ENZ 650 15 0.29 0.335 40
R6520ENZ 20 0.19 0.22 60
R6524ENZ 24 0.165 0.19 70
R6530ENZ 30 0.13 0.15 85
R6535ENZ 35 0.102 0.118 110
TO247 R6520ENZ1 650 20 0.19 0.22 60
R6524ENZ1 24 0.165 0.19 70
R6530ENZ1 30 0.13 0.15 85
R6535ENZ1 35 0.102 0.118 110
R6547ENZ1 47 0.073 0.084 145
R6576ENZ1 76 0.042 0.049 260

高速SJ MOSFET KNシリーズ

低ノイズ性能は維持しつつ、高速スイッチング可能なデバイスの要求に対応。
・高速スイッチング性能と低オン抵抗に重点
・RgとQgdを低減しスイッチング性能を向上
・スイッチング損失を低減し高効率化

R60xxKNシリーズ(600V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on) (Ω) Vgs=10V Qg (nC)
Vgs=10V
Typ.
Typ. MAX
CPT3
D-pak
R6002KND 600 1.7 2.8 3.4 4.5
R6004KND 4 0.9 0.98 10
TO252E
D-pak
R6007KND3 600 7 0.57 0.62 14
R6009KND3 9 0.5 0.535 16
R6011KND3 11 0.34 0.39 22
LPT
D2-pak
R6004KNJ 600 4 0.9 0.98 10
R6007KNJ 7 0.57 0.62 14
R6009KNJ 9 0.5 0.535 16
R6011KNJ 11 0.34 0.39 22
R6015KNJ 15 0.26 0.29 27
R6020KNJ 20 0.17 0.196 40
R6024KNJ 24 0.15 0.165 47
TO220FM R6004KNX 600 4 0.9 0.98 10
R6007KNX 7 0.57 0.62 14
R6009KNX 9 0.5 0.535 16
R6011KNX 11 0.34 0.39 22
R6015KNX 15 0.26 0.29 27
R6020KNX 20 0.17 0.196 39
R6024KNX 24 0.15 0.165 47
R6030KNX 30 0.115 0.13 57
TO3PF R6015KNZ 600 15 0.26 0.29 27
R6020KNZ 20 0.17 0.196 40
R6024KNZ 24 0.15 0.165 47
R6030KNZ 30 0.115 0.13 57
R6035KNZ 35 0.095 0.102 74
TO247 R6020KNZ1 600 20 0.17 0.196 40
R6024KNZ1 24 0.15 0.165 47
R6030KNZ1 30 0.115 0.13 57
R6035KNZ1 35 0.095 0.102 74
R6047KNZ1 47 0.066 0.072 97
R6076KNZ1 76 0.038 0.042 174

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Presto MOS/高速trr SJ MOSFET FNシリーズ

インバータ回路ではMOSFET/IGBTとダイオードを組み合わせて使用する場合が多く、外付けダイオードをなくし部品点数を削減したい/ダイオードの効率を改善したいという要求に対応。
・SJ MOSFETの寄生ダイオードのtrr特性を改善

R50xxFNxシリーズ(500V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on)
Typ.(Ω)
Vgs=10V
Qg
Typ.(nC)
Vgs=10V
trr Typ.
(ns)
TO220FM R5009FNX 500 9 0.65 18 78
R5011FNX 11 0.4 30 85
R5016FNX 16 0.22 45 100

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R60xxFNxシリーズ(600V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on)
Typ.(Ω)
Vgs=10V
Qg
Typ.(nC)
Vgs=10V
trr Typ.
(ns)
LPT
D2-pack
R6008FNJ 600 8 0.73 20 67
R6012FNJ 12 0.39 35 75
TO220FM R6008FNX 600 8 0.73 20 67
R6012FNX 12 0.39 35 75
R6015FNX 15 0.27 42 90
R6020FNX 20 0.2 65 105
TO3PF R6025FNZ 600 25 0.14 85 120
R6046FNZ 46 0.075 150 145
TO247 R6025FNZ1 600 25 0.14 85 120
R6046FNZ1 46 0.075 150 143

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Presto MOS/高速trr 低Ron SJ MOSFET MNシリーズ

インバータ回路のさらなる効率改善を目標として以下の点をさらに改善。
・外付けのFRDが不要
・ゲート容量Qgが小さい
・インバータなどの効率を改善可能
・SJ MOSFETの寄生ダイオードのtrr特性を改善

R60xxMNxシリーズ(600V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on)
Typ.(Ω)
Vgs=10V
Qg
Typ.(nC)
Vgs=10V
trr Typ.
(ns)
TO252
D-pack
R6007MND3 600 7 0.54 10 65
R6010MND3 10 0.27 20 70
TO220FM R6030MNX 600 30 0.11 45 92
TO3PF R6047MNZ 600 47 0.07 75 105
TO247 R6047MNZ1 600 47 0.07 75 105
R6076MNZ1 76 0.04 120 135

大電力高速スイッチングHybrid MOS GNシリーズ

市場の省エネ/高効率ニーズの高まりから、MOSFETのスイッチングスピードを維持しつつ、さらなる大電力に対応できるトランジスタの要求に対応