電源設計の技術情報サイト

技術資料ダウンロード

製品情報

ラインアップツリーや特長から、簡単に最適な電源ICや、SiおよびSiCのMOSFET、ダイオード他、関連製品にアクセスできます。

低消費

BD9Bxxx

MOSFET内蔵1ch同期整降圧。固定オンタイム制御。自己消費35uA。効率93%、軽負荷モード搭載。高速過渡応答で位相補償のC、R不要。fSW=2MHzにより小型インダクタ使用可能。

小型

BU9000x

MOSFET内蔵1ch同期整降圧。PWM/PFM切り替え制御、軽負荷モード搭載。
位相補償のC、R不要。fSW=6MHzにより小型インダクタ使用可能。小型UCSP35L1パッケージ(1.3×0.9×0.4mm)

高効率

BD9Bxxx

MOSFET内蔵1ch同期整降圧。固定オンタイム制御。自己消費35uA。効率93%、軽負荷モード搭載。高速過渡応答で位相補償のC、R不要。fSW=2MHzにより小型インダクタ使用可能。

BD9Cxxx

MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。Pchハイサイドによりブーストラップコンデンサ不要。最大入力電圧18V、最大定格20V。

絶縁

BD8325FVT

2次側同期整流ドライバ搭載アクティブクランプ方式PWMコントローラ。電流モード絶縁型。数10W~700Wクラスの電源構築が可能。1次側/2次側ともに各種保護回路搭載。

■ BD9031FV

1ch絶縁/昇圧用スイッチングレギュレータコントローラ。電流モード。35V耐圧、車載対応。

高速負荷応答

BD95602MUV

2ch同期整降圧コントローラ。超高速過渡応答H3Reg固定オンタイム制御。軽負荷モードおよび静音軽負荷モード搭載。LDO×2内蔵。外付けMOSFETはNch×2。入力最大定格30V。

BD9Bxxx

MOSFET内蔵1ch同期整降圧。固定オンタイム制御。自己消費35uA。効率93%、軽負荷モード搭載。高速過渡応答で位相補償のC、R不要。fSW=2MHzにより小型インダクタ使用可能。

BD9Dxxx

MOSFET内蔵1ch同期整降圧。固定オンタイム制御。高速過渡応答で位相補償のC、R不要。最大入力電圧18V、最大定格20V。出力にセラミックコンデンサを使用可能。

FET外付け

■ BD9FZ10FV

1ch同期整流降圧コントローラ。固定オンタイム制御。入力最大定格32V。
軽負荷モード搭載。フロー対応SSOPB16パッケージ。

BD95602MUV

2ch同期整降圧コントローラ。超高速過渡応答H3Reg固定オンタイム制御。軽負荷モードおよび静音軽負荷モード搭載。LDO×2内蔵。外付けMOSFETはNch×2。入力最大定格30V。


3.3V/5V入力

出力電流 出力電圧 機種名 概要
1A 1V~3.3V BD9A100MUV MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。自己消費250uA。効率93%、軽負荷モード搭載。fSW=1MHzにより小型インダクタ使用可能。
BD9B100MUV MOSFET内蔵1ch同期整降圧。固定オンタイム制御。自己消費35uA。効率93%、軽負荷モード搭載。高速過渡応答で位相補償のC、R不要。fSW=2MHzにより小型インダクタ使用可能。
2A 1V~2.5V BD9130EFJ MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。自己消費250uA。効率90%以上、軽負荷モード搭載。fSW=1MHzにより小型インダクタ使用可能。Pchハイサイド。
0.8V~3.3V BD91370MUV MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。自己消費250uA。軽負荷モード搭載。fSW=1MHzにより小型インダクタ使用可能。
3A 1V~3.3V BD9A300MUV MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。自己消費250uA。効率93%、軽負荷モード搭載。fSW=1MHzにより小型インダクタ使用可能。
BD9B300MUV MOSFET内蔵1ch同期整降圧。固定オンタイム制御。自己消費35uA。効率93%、軽負荷モード搭載。高速過渡応答で位相補償のC、R不要。fSW=2MHzにより小型インダクタ使用可能。
2.5V~3.3V BD9139MUV MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。軽負荷モード搭載。fSW=1MHzにより小型インダクタ使用可能。
4A 1V~3.3V BD9137MUV MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。軽負荷モード搭載。fSW=1MHzにより小型インダクタ使用可能。
BD91361MUV MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。軽負荷モード搭載。fSW=1MHzにより小型インダクタ使用可能。
6A 1V~3.3V BD9A600MUV MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。自己消費250uA。効率93%、軽負荷モード搭載。fSW=1MHzにより小型インダクタ使用可能。
BD9B600MUV MOSFET内蔵1ch同期整降圧。固定オンタイム制御。自己消費35uA。効率93%、軽負荷モード搭載。高速過渡応答で位相補償のC、R不要。fSW=2MHzにより小型インダクタ使用可能。

12V入力

出力電流 出力電圧 機種名 概要
2A 1V~5V BD95821MUV MOSFET内蔵1ch同期整降圧。超高速過渡応答H3Reg固定オンタイム制御。位相補償のC、R不要。最大入力電圧15V。
BD9328EFJ MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。入力最大定格20V。出力にセラミックコンデンサ使用可能。
2.5V~5V BD9141MUV MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。軽負荷モード搭載。最大入力電圧13.2V、最大定格15V。
3A 1V~5V BD95831MUV MOSFET内蔵1ch同期整降圧。超高速過渡応答H3Reg固定オンタイム制御。位相補償のC、R不要。最大入力電圧15V。
BD9329AEFJ MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。入力最大定格20V。出力にセラミックコンデンサ使用可能。
1.2V~5V BD9D320EFJ MOSFET内蔵1ch同期整降圧。固定オンタイム制御。高速過渡応答で位相補償のC、R不要。入力最大定格20V。出力にセラミックコンデンサ使用可能。
BD9D321EFJ MOSFET内蔵1ch同期整降圧。固定オンタイム制御。軽負荷モード搭載。高速過渡応答で位相補償のC、R不要。入力最大定格20V。出力にセラミックコンデンサ使用可能。
1.8V~5V BD9C301FJ MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。Pchハイサイドによりブーストラップコンデンサ不要。最大入力電圧18V、最大定格20V。
4A 1V~5V BD95841MUV MOSFET内蔵1ch同期整降圧。超高速過渡応答H3Reg固定オンタイム制御。位相補償のC、R不要。最大入力電圧15V。
1.8V~5V BD9C401EFJ MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。Pchハイサイドによりブーストラップコンデンサ不要。最大入力電圧18V、最大定格20V。
5A 1.8V~5V BD9C501EFJ MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。Pchハイサイドによりブーストラップコンデンサ不要。最大入力電圧18V、最大定格20V。
6A 1V~5V BD95861MUV MOSFET内蔵1ch同期整降圧。超高速過渡応答H3Reg固定オンタイム制御。位相補償のC、R不要。最大入力電圧18V。
1.8V~5V BD9C601EFJ MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。Pchハイサイドによりブーストラップコンデンサ不要。最大入力電圧18V、最大定格20V。

24V入力

出力電流 出力電圧 機種名 概要
1A 3.3V~12V BD9E101FJ MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。fSW=1MHzにより小型インダクタ使用可能。最大入力電圧36V、最大定格40V。
1.2A 3.3V~12V BD9E151NUX MOSFET内蔵1chダイオード整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。最大入力電圧28V、最大定格30V。セラミックコンデンサ使用可能。
2.5A 3.3V~12V BD9E301EFJ MOSFET内蔵1ch同期整降圧。電流モード動作、位相補償が容易で過渡応答が高速。最大入力電圧36V、最大定格40V。