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キーワード:VGS

Siパワーデバイス

2016.11.29

MOSFETとは-ゲートしきい値電圧、ID-VGS特性と温度特性

前回のMOSFETのスイッチング特性に続いて、MOSFETの重要特性である、ゲートしきい値電圧、そしてID-VGS特性、そしてそれぞれの温度特性について説明します。 MOSFETのVGS(th):ゲー ...

キーワード:
ID
ID-VGS特性
MOSFET
VGS
VGS(th)
ゲートしきい値

SiCパワーデバイス

2017.02.28

SiC-MOSFETとは-Si-MOSFETとの違い

ここからは、SiC-MOSFETと他のパワートランジスタとの比較を個別にして行きます。 今回は、Si-MOSFETとの違いについて説明します。まだSiC-MOSFETを使ったことのない方は、個々のパラ ...

キーワード:
IGBT
Rg
Ron
SiC-MOSFET
SiC-SBD
VGS
オン抵抗
ゲートサージ
ゲートドライバ
ゲート抵抗
ゲート電圧
サージ対策

AC/DC

2017.06.13

設計に使う電源IC:SiC-MOSFET用に最適化

設計にあたって、最初に設計に使う電源ICについて説明します。「はじめに」に記したように、この章では、「疑似共振コンバータ」の設計と、パワートランジスタに「SiC-MOSFET」を使うという新しい2つの ...

キーワード:
AC/DCコンバータ設計
Rg
SiC
SiC-MOSFET
SiCオン抵抗
VGS
ゲートドライブ
シリコンカーバイド
フォワード
フライバック
疑似共振コンバータ設計
絶縁AC/DCコンバータ設計