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キーワード:Ron

SiCパワーデバイス

2017.02.28

SiC-MOSFETとは-Si-MOSFETとの違い

ここからは、SiC-MOSFETと他のパワートランジスタとの比較を個別にして行きます。 今回は、Si-MOSFETとの違いについて説明します。まだSiC-MOSFETを使ったことのない方は、個々のパラ ...

キーワード:
IGBT
Rg
Ron
SiC-MOSFET
SiC-SBD
VGS
オン抵抗
ゲートサージ
ゲートドライバ
ゲート抵抗
ゲート電圧
サージ対策

SiCパワーデバイス

2017.04.25

SiC-MOSFETとは-IGBTとの違い

前回は、Si-MOSFETとの違いということで、SiC-MOSFETの駆動方法に関する2つのポイントについて説明しました。今回は、IGBTとの違いについて説明をします。 IGBTとの違い:Vd-Id特 ...

キーワード:
IGBT
Rg
Ron
SiC-MOSFET
SiC-SBD
Vd-Id特性
VDS
オン抵抗
ゲート抵抗
スイッチング損失
ダイオードリカバリ損失
テイル電流
リカバリ電流

伝達関数

2017.12.12

スイッチのオン抵抗が伝達関数に与える影響

前回、前々回と「昇降圧コンバータの伝達関数導出例」をその1とその2に説明してきました。今回は「スイッチのオン抵抗が伝達関数に与える影響」について考察してみたいと思います。 この考察についても、今までと ...

キーワード:
DC/DCコンバータ伝達関数
MOSFETオン抵抗
Ron
スイッチングオン抵抗
スイッチング伝達関数
昇圧コンバータ伝達関数
昇降圧コンバータ伝達関数
状態平均化法
降圧コンバータ伝達関数