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キーワード:寄生ダイオード

SiCパワーデバイス

2017.05.30

SiC-MOSFETとは-ボディダイオード特性

前回は、IGBTとの違いについて説明しました。今回は、SiC-MOSFETのボディダイオードの順方向特性と逆回復特性について説明します。 SiC-MOSFETにかかわらずMOSFETには、図のよ ...

キーワード:
Err
IGBT
irr
SiC-MOSFET
SiC-SBD
trr
Vd-Id特性
VF
スイッチング損失
ダイオードリカバリ損失
ボディダイオード
リカバリ電流
内部ダイオード
寄生ダイオード
順方向特性

DC/DC

2017.10.17

同期整流降圧コンバータのデッドタイム損失

前回は、同期整流降圧コンバータのスイッチノードに発生するスイッチング損失に関する説明をしました。今回は、同じくスイッチノードに発生するデッドタイム損失を考察します。 デッドタイム損失 デッドタイム損 ...

キーワード:
DC/DCコンバータ損失
シュートスルー
スルー電流
デッドタイム
ボディーダイオード
同期整流降圧コンバータ損失
寄生ダイオード
損失低減
損失計算
貫通電流
電源損失

SiCパワーデバイス

2017.07.25

SiC-MOSFETとは-トレンチ構造SiC-MOSFETと実際の製品

今回は、最新の第三世代SiC-MOSFETの説明と、現在、入手可能なSiC-MOSFETに関する情報を提供します。 独自のダブルトレンチ構造SiC-MOSFET SiC-MOSFETの進化は続いており ...

キーワード:
Err
IGBT
irr
MOSFET入力容量
SiC-MOSFET
SiC-SBD
trr
Vd-Id特性
スイッチング損失
ダイオードリカバリ損失
ダブルトレンチ構造
トレンチ構造SiC-MOSFET
ボディダイオード
リカバリ電流
内部ダイオード
寄生ダイオード