電源設計の技術情報サイト

技術資料ダウンロード

キーワード:フルSiCパワーモジュール

SiCパワーデバイス

2017.10.31

フルSiCパワーモジュールとは

新章の開始になります。SiC概要、SiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)、SiC-MOSFETに続き、すべてをSiCパワーデバイスで構成した、「フルSiCパワーモジュール」について解説して行き ...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
トレンチ構造
フルSiCパワーモジュール
第3世代SiC-MOSFET

SiCパワーデバイス

2017.11.28

フルSiCパワーモジュールのスイッチング損失

フルSiCパワーモジュールは、既存のパワーモジュールとの比較においてSiC由来の優れた性能を持っています。今回は、従来のパワーモジュールの大きな課題とも言えるスイッチング損失について説明します。 フル ...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
スイッチング損失
トレンチ構造
フルSiCパワーモジュール
第3世代SiC-MOSFET

SiCパワーデバイス

2017.12.26

活用のポイント:ゲートドライブ その1

ここからは、フルSiCパワーモジュールの優れた性能を十分に活用するための検討をして行きます。今回はゲートドライブに関してで、「その1」としてゲートドライブの検討事項を、次回「その2」では対処方法を説明 ...

キーワード:
dV/dt
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
ゲートドライブ
ゲート容量
ゲート抵抗
ゲート誤オン
ゲート電圧持ち上がり
スイッチング速度
テール電流
ハイサイド
フルSiCパワーモジュール
リンギング
ローサイド
上アーム
下アーム
寄生容量
発振

SiCパワーデバイス

2018.01.16

活用のポイント:ゲートドライブ その2

前回は、フルSiCモジュールのゲートドライブの検討事項として、「ゲート誤オン」について説明しました。今回はその2として、ゲート誤オンの対処方法を説明します。 「ゲート誤オン」の抑制方法 ゲートの誤オン ...

キーワード:
CGS
dV/dt
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
ゲートドライブ
ゲートマイナスバイアス
ゲート容量
ゲート抵抗
ゲート誤オン
ゲート電圧持ち上がり
スイッチング速度
ハイサイド
フルSiCパワーモジュール
ミラークランプ
リンギング
ローサイド
上アーム
下アーム
発振
負電圧ゲートドライブ

SiCパワーデバイス

2018.02.27

活用のポイント:スナバコンデンサ

今回は、フルSiCモジュール活用のポイントとして、スナバコンデンサについて説明します。大電流を高速でスイッチングする回路では、スナバコンデンサの付加が必要になります。 スナバコンデンサとは スナバ ...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
フルSiCパワーモジュール