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キーワード:ヒートシンク

2016.06.14

SCT2H12NZ:1700V高耐圧SiC-MOSFET:産業機器の補助電源用途に求められる高耐圧と低損失を実現

ロームは、パワーデバイスの開発に注力しています。先ごろ発表され、すでに量産に入っている「SCT2H12NZ」は、1700Vという高耐圧を実現したSiC-MOSFETです。既存の650Vと1200Vのラ ...

キーワード:
1700V
SiC-MOSFE
オン抵抗
ヒートシンク
小型化
産業機器
発熱
補助電源

Siパワーデバイス

2017.11.29

チップ温度の確認

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明しています。 今回は、右のフローチャートにはないのですが、以下の箇条書きの⑦、「チップ温度 ...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tc
Tj
θca
θja
θjc
ケース温度
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
パッケージ温度
ヒートシンク
安全動作領域
接合温度
放熱器
放熱板
消費電力
熱抵抗
熱計算

Siパワーデバイス

2017.12.26

まとめ

この章では、実動作において選択したトランジスタが適切であるか否かの判断のための方法と手順を説明してきました。今回は最後にまとめを行います。 右のフローチャートおよび下の箇条書きに従って、選択したト ...

キーワード:
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tc
Tj
θca
θja
θjc
ケース温度
スーパージャンクションMOSFET
チップ温度
ディレーティング
パッケージ温度
ヒートシンク
安全動作領域
接合温度
放熱器
放熱板
消費電力
熱抵抗
熱計算