電源設計の技術情報サイト

技術資料ダウンロード

キーワード:トレンチ構造

SiCパワーデバイス

2017.02.10

SiC-MOSFETとは-パワートランジスタの構造と特徴の比較

前回に続いて、各パワートランジスタの比較を行います。今回は構造と特徴を比較します。 パワートランジスタの構造と特徴の比較 以下の図は、各パワートランジスタの構造と、耐圧、オン抵抗、スイッチングスピード ...

キーワード:
DMOS
IGBT
SiC-DMOS
SiC-MOSFET
SiC-SBD
super junction
スーパージャンクションMOSFET
トレンチ構造

SiCパワーデバイス

2017.10.31

フルSiCパワーモジュールとは

新章の開始になります。SiC概要、SiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)、SiC-MOSFETに続き、すべてをSiCパワーデバイスで構成した、「フルSiCパワーモジュール」について解説して行き ...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
トレンチ構造
フルSiCパワーモジュール
第3世代SiC-MOSFET

SiCパワーデバイス

2017.11.28

フルSiCパワーモジュールのスイッチング損失

フルSiCパワーモジュールは、既存のパワーモジュールとの比較においてSiC由来の優れた性能を持っています。今回は、従来のパワーモジュールの大きな課題とも言えるスイッチング損失について説明します。 フル ...

キーワード:
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
スイッチング損失
トレンチ構造
フルSiCパワーモジュール
第3世代SiC-MOSFET