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キーワード:スイッチング速度

SiCパワーデバイス

2017.12.26

活用のポイント:ゲートドライブ その1

ここからは、フルSiCパワーモジュールの優れた性能を十分に活用するための検討をして行きます。今回はゲートドライブに関してで、「その1」としてゲートドライブの検討事項を、次回「その2」では対処方法を説明 ...

キーワード:
dV/dt
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
ゲートドライブ
ゲート容量
ゲート抵抗
ゲート誤オン
ゲート電圧持ち上がり
スイッチング速度
テール電流
ハイサイド
フルSiCパワーモジュール
リンギング
ローサイド
上アーム
下アーム
寄生容量
発振

SiCパワーデバイス

2018.01.16

活用のポイント:ゲートドライブ その2

前回は、フルSiCモジュールのゲートドライブの検討事項として、「ゲート誤オン」について説明しました。今回はその2として、ゲート誤オンの対処方法を説明します。 「ゲート誤オン」の抑制方法 ゲートの誤オン ...

キーワード:
CGS
dV/dt
IGBT
IGBTモジュール
SiC-MOSFET
SiC-SBD
ゲートドライブ
ゲートマイナスバイアス
ゲート容量
ゲート抵抗
ゲート誤オン
ゲート電圧持ち上がり
スイッチング速度
ハイサイド
フルSiCパワーモジュール
ミラークランプ
リンギング
ローサイド
上アーム
下アーム
発振
負電圧ゲートドライブ

DC/DC

2018.11.13

出力電流が大きいアプリケーションを検討するときの注意 その2

前回は、出力電流が大きいアプリケーションを検討する場合の2つの注意点のうち1つ目を説明しました。出力電流を大きくするためには、オン抵抗が低いMOSFETを使い、スイッチングを高速にして、DCRが低いイ ...

キーワード:
DC/DCコンバータ損失
DCR損失
MOSFET Qg
MOSFETオン抵抗
インダクタDCR
ゲートチャージ
ゲートチャージ損失
ゲート容量
スイッチングノイズ
スイッチング損失
スイッチング速度
デッドタイム損失
効率カーブ
効率グラフ
効率曲線
同期整流降圧コンバータ損失
損失低減
損失要因
損失計算
電源損失