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キーワード:シリコンカーバイド

SiCパワーデバイス

2016.04.07

シリコンカーバイドとは

シリコンカーバイド、SiCは、比較的新しい半導体材料です。最初に少しその物性や特徴を確認したいと思います。 SiCの物性と特徴 SiCは、シリコン(Si)と炭素(C)で構成される化合物半導体材料です。 ...

キーワード:
SiC
SiC物性
シリコンカーバイド
パワーデバイス
パワー半導体

SiCパワーデバイス

2016.04.07

はじめに

Tech Webの「基礎知識」に、新しく「パワーデバイス」に関する記事を追加していきます。近年、「パワーデバイス」もしくは「パワー半導体」といった表現で、大電力を低損失で扱うことを目的にしたダイオード ...

キーワード:
MOSFET
SiC
シリコンカーバイド
ダイオード
トランジスタ
ハイパワーMOSFET
パワーデバイス
パワー半導体
高耐圧MOSFET
高電力MOSFET

2016.04.07

パワー系アプリケーションの損失低減と小型の鍵:パワー系ダイオードで損失が最も小さいSiC-SBD

ロームは、高耐圧と大電流を扱う回路に最適なSiC(シリコンカーバイド)材料を用いたSBD(ショットキーバリアダイオード)の開発を推進しています。2010年に国内初となるSiCによるSBDの量産を開始し ...

キーワード:
FRD
PFC
SiC
SiC-SBD
trr
ショットキーバリアダイオード
シリコンカーバイド
スイッチング損失
ファストリカバリダイオード
力率改善
温度特性
逆回復時間
順方向電圧

2016.04.07

パワー系アプリケーションの損失低減と小型の鍵:SiC-SBDのラインアップは650V / 1200V、5A~40Aで車載対応

ロームは、高耐圧と大電流を扱う回路に最適なSiC(シリコンカーバイド)材料を用いたSBD(ショットキーバリアダイオード)の開発を推進しています。2010年に国内初となるSiCによるSBDの量産を開始し ...

キーワード:
FRD
PFC
SiC
SiC-SBD
trr
ショットキーバリアダイオード
シリコンカーバイド
スイッチング損失
ファストリカバリダイオード
力率改善
温度特性
逆回復時間
順方向電圧

SiCパワーデバイス

2016.04.26

SiCパワーデバイスの開発背景とメリット

前回、SiCの物性とSiCパワーデバイスの特徴を説明しました。SiCパワーデバイスは、Siパワーデバイスを超える高耐圧、低オン抵抗、高速動作を実現でき、より高温での動作も可能です。今回は、SiCの開発 ...

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