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電子回路シミュレーションの基礎

SPICEサブサーキットモデル:MOSFETの例 その2

MOSFETのSPICEサブサーキットモデル その1の続きです。

サブサーキットモデルの各デバイスモデルパラメータとの関係

図は、その1で使ったMOSFETのサブサーキットモデルの構成です。MOSFETのベースモデル、ダイオード、抵抗のパラメータ設定が、実際どの特性に影響するのかを示します。

ロームのMOSFETサブサーキットモデル構成の例。

各パラメータとシミュレーションで得た特性グラフです。赤色の文字はパラメータと影響を示しています。ここでは、各関連性をイメージできればよいかと思います。

MOSFETサブサーキットモデルの各モデルパラメータと特性の関係:ID-VDS/MOSFETサブサーキットモデルの各モデルパラメータと特性の関係:ID-VGS/MOSFETサブサーキットモデルの各モデルパラメータと特性の関係:RDS(on)-ID/MOSFETサブサーキットモデルの各モデルパラメータと特性の関係:RDS(on)-TEMP/SPICEデバイスモデルMOSFETのパラメータ/SPICEデバイスモデルダイオードのパラメータ/SPICEデバイスモデル抵抗のパラメータ

Key Points:

・SPICEモデルの形式には、「デバイスモデル」と「サブサーキットモデル」の2種類がある。

・サブサーキットモデルは、接続情報やデバイスモデルからなる。

・サブサーキットモデルは、理想特性的なデバイスモデルに現実的な特性をもたせたり、特定機能の回路などを構成できる。


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